三星電子營收獲利雙雙破紀錄，HBM4 需求全數售罄，記憶體供給缺口將延續至 2027 年
2026 年第一季財報電話會議，2026 年 4 月 29 日 — AI 基礎設施建設推動營收與獲利創下歷史新高，但行動通訊與顯示器部門的成本壓力預示下半年挑戰嚴峻
歷史性的一季，但真正的焦點在於未來
三星電子（Samsung Electronics）繳出了一份堪稱里程碑式的財報。總營收達到 134 兆韓元，較上一季已創紀錄的數字成長 43%；營業利益達到 57 兆韓元，季增 185%；營業利益率則在單季內從 21% 躍升至 43%。淨利為 47 兆韓元，是上一季的 2.4 倍。這些數字絕非微幅增長，而是代表這家過去兩年一直在關鍵領域苦於追趕競爭對手的公司，其獲利能力出現了結構性的飛躍。
受美元升值影響，匯率因素為營業利益帶來約 1.8 兆韓元的季增貢獻，這對零組件業務有利。但這僅是次要因素，核心驅動力在於 AI 基礎設施需求帶動了記憶體需求，其成長速度已讓整個產業難以跟上。
記憶體是成長引擎，供給追不上需求
記憶體部門連續兩季創下歷史最高獲利，細節令人驚豔。伺服器出貨量方面，DRAM 季增率為低雙位數，NAND 則為低 20% 區間。DRAM 與 NAND 的混合平均售價（Blended ASP）分別較上一季上漲約 90% 與 88%。DRAM 位元成長率符合指引，NAND 位元成長率則優於預期，達到高個位數的季增水準。
執行副總裁 Jaejune Kim 在會議中勾勒出的結構性圖景，顯示這些數字不僅是週期性反彈。他表示：「我們的需求滿足率目前處於歷史低點，擔心供給短缺的客戶甚至已經開始提前預訂 2027 年的需求。」僅就已預訂的需求來看，預計 2027 年的供需缺口將比 2026 年進一步擴大。這並非公司單方面的說詞，而是反映了新晶圓廠擴建需要多年準備期，且 AI 驅動的記憶體需求成長速度已超越產業應對能力的現實。
三星已開始與主要超大規模資料中心（Hyperscalers）簽署多年期供應協議。儘管保密協議（NDA）限制了細節披露，但 Kim 確認：「主要客戶對未來的 AI 及 AI 相關需求充滿信心，並已主動尋求中長期的供應量承諾。」這些合約比傳統供應安排更具約束力，提供了明確的營收能見度，並協助三星更有信心地規劃投資規模。
HBM4 全數售罄，HBM4E 樣品本季出貨
三星於 2026 年 2 月成為全球首家商業化出貨 HBM4 的公司，目前該產品已全數售罄。管理層證實：「我們已準備好的產能已全數預訂完畢。」公司預計 HBM4 從第三季起將佔 HBM 總銷售額的 50% 以上，並貢獻全年約一半的 HBM 營收。整體而言，2026 年 HBM 銷售額預計仍將較去年成長超過三倍。
憑藉三星 1z 奈米製程打造的 HBM4，其差異化的效能已轉化為實際的價格溢價，反映出客戶對強化效能規格的採納。這是一個重要的競爭訊號。三星亦確認，具備每秒 16 Gigabit 速度與每秒 4.0 Terabytes 頻寬的 HBM4E 首批樣品，將於 2026 年第二季開始出貨，確保技術路線圖如期推進。
針對市場熱議三星是否應將重心從 HBM 轉向傳統 DRAM（受惠於傳統 DRAM 價格急劇上漲，其利潤率近期出現倒掛），管理層給出了細膩但明確的回答。HBM 價格為提前一年協商，而傳統 DRAM 則每季調整。傳統 DRAM 現貨價格的急劇上漲暫時造成了利潤率倒掛，然而，「鑑於 HBM 供給受限且供需缺口持續擴大，預計 2027 年其與傳統 DRAM 的利潤率差距將顯著縮小。」更重要的是，管理層認為，若為了追求短期獲利而激進轉向傳統 DRAM，「可能會對 AI 基礎設施本身的建設造成限制。」三星傾向維持均衡的產品組合，而非追求短期套利。
NAND 迎來關鍵時刻：PCIe Gen 6 與 NVIDIA CMX 架構
會議中較具前瞻性的披露之一，涉及 NAND 在 AI 基礎設施中日益重要的角色。管理層強調了 NVIDIA 近期提出的 CMX 架構，該架構將 AI 推論數據儲存從 HBM 延伸至基於 NAND 的儲存裝置，而非僅依賴高頻寬記憶體。若此架構獲得廣泛採用，將為高效能 NAND 帶來顯著的新需求。三星表示已為 PCIe Gen 6 SSD 做好「量產準備」，且早期樣品已獲得客戶正面回饋。公司計畫在 2026 年下半年於 Gen 6 市場取得先發優勢。
三星亦於 3 月完成 2 Terabit QLC NAND 的開發，並正在規劃 256 Terabyte 伺服器 SSD 產品線。受第一季強勁出貨後庫存水準降低影響，預計第二季 NAND 位元成長率將受限於低個位數的季增區間，鑑於市場供需緊俏，管理層對維持此供應紀律感到滿意。
晶圓代工業務改善，Taylor 廠投產進度是觀察重點
受季節性疲軟影響，三星晶圓代工業務獲利季減，但營收較去年同期實現雙位數成長。更重要的披露在於營運面：截至 4 月 23 日，三星在德州 Taylor Fab 1 廠區舉行了設備進駐儀式。目標於 2027 年量產，並逐步擴大 2 奈米產能。第二座 Taylor 廠正處於初步評估階段，並持續與客戶洽談中。
在先進製程方面，三星正與多家大型 AI 與 HPC 客戶積極討論 2 奈米專案，預計「特定客戶在不久的將來會看到更顯著的成果」。HBM4 所採用的 4 奈米製程已產生差異化的代工需求，三星正積極考慮擴大供應。此外，公司披露了全新的矽光子業務，已獲得一家領先光通訊模組廠商的策略訂單，目標於 2026 年下半年量產。
針對成熟製程，策略則是果斷轉型：缺乏競爭力的製程將「大膽關閉」，CIS 與 DDI 產線將遷移至先進的 17 奈米製程，8 吋 PMIC 與 DDI 產線則逐步淘汰。這是一項重要的營運重組，以犧牲短期產能利用率來換取長期的利潤品質。
行動通訊（MX）面臨壓力，記憶體成本通膨是最大逆風
行動體驗（MX）部門第一季營收為 37.5 兆韓元，MX 與網路業務合計營業利益為 2.8 兆韓元。S26 系列推動了營收年增，並因 Ultra 機型貢獻增加而提升了平均售價，儘管發布時程有所調整，三星仍實現了營收與獲利的季增。這是好消息。
壞消息則是結構性的，至少在短期內如此。由於 AI 基礎設施建設導致供需失衡，記憶體價格飆升，這正成為三星自身手機業務直接的成本逆風。第一季獲利能力已較去年同期減弱，隨著記憶體價格進一步上漲，第二季情況將更為嚴峻。執行副總裁 Seong Cho 直言：「第二季獲利下滑似乎不可避免」，因為關鍵零組件的成本壓力正在加劇。三星身為記憶體供應商同時也是主要記憶體消費者的獨特地位，造成了內部矛盾，且不太可能在短期內解決。
展望下半年，三星將依賴 S26 的動能、新款 A 系列發布、Galaxy AI 的領先地位以及摺疊機型來維持價值市佔率，即便出貨量可能收縮。AI 眼鏡被提及為正在開發中的新產品形態。然而，預計 2026 年 MX 部門的獲利前景將低於去年，對該部門而言是顯著的倒退。
晶圓代工勞資糾紛：不可忽視的風險
會議中浮現出一個值得投資人關注的勞工風險。三星工會於 4 月 23 日在平澤廠區舉行集會，並宣布將於 5 月 21 日至 6 月 7 日舉行全面罷工。財務長 Soon-Cheol Park 確認公司正籌組專責應對團隊，以在法律框架內將生產中斷降至最低，並優先透過對話尋求解決方案。若罷工在平澤廠區發生，將影響三星最關鍵的記憶體與晶圓代工生產中心。管理層語氣審慎，但鑑於產能已全數售罄且需求滿足率處於歷史低點，HBM4 擴產進度即便受到部分干擾，其影響也不容小覷。
資本支出顯著增加，紀律為前提
第一季資本支出總計 11.2 兆韓元，因 2025 年投資（包括平澤新無塵室空間）採取前置投入策略，較上一季減少 9.2 兆韓元。然而，管理層明確表示，受 AI 需求、次世代製程研發、Taylor 廠投產投資以及半導體聚落建設推動，2026 年全年資本支出將較去年大幅增加。隨著新無塵室空間投入使用，設備支出預計將加速。公司將投資決策定調為「靈活且根據快速變化的市場條件謹慎調整」——這項但書為管理層在需求訊號轉弱時保留了撤退空間。
在股東回報方面，第一季每股現金股利 372 韓元，符合 2024-2026 年政策下每季 2.5 兆韓元的承諾。2024 年底宣布的 10 兆韓元庫藏股計畫已於 2025 年 9 月完成，扣除員工酬勞外剩餘的股份——7,340 萬股普通股與 1,360 萬股特別股——現已全數註銷，分別佔發行在外股數的 1.2% 與 1.7%。下一階段的三年期股東回報政策正由董事會審議中，目前尚無細節。
顯示器與影像顯示（VD）面臨艱困一年，記憶體通膨雙重打擊
三星顯示器（Samsung Display）第一季獲利因季節性因素與記憶體價格壓力而季減。第二季展望疲軟，智慧型手機與 IT 顯示器需求預計維持低迷。第 8.6 代 IT OLED 產線擴產仍是下半年的營收驅動力，QD-OLED 則進一步推向高階顯示器與企業市場。2026 年高階智慧型手機引入的隱私保護技術（MPP）是管理層計畫擴大應用的差異化優勢。執行副總裁 Charles Hur 坦言：「由於地緣政治風險、不可預測的市場條件以及記憶體供應問題，2026 年將是充滿挑戰的一年。」
影像顯示（VD）部門則面臨需求停滯、LED 零組件成本上升，以及管理層承認對手 TCL 與 Sony 合資企業帶來的實質競爭壓力。三星的應對之道是倚重 Micro RGB 電視發布、第二季世界盃需求，以及不斷擴大的廣告與平台服務營收流。然而，VD 部門第一季獲利較去年同期下滑，競爭環境並未好轉。
機器人、併購與資料中心冷卻：三星展現結構性雄心
三星針對多項長期成長計畫提供了異常具體的評論。在機器人領域，財務長 Park 確認在 Juno Yoon 的領導下取得了實質進展，並概述了雙軌策略：首先開發應用於製造業的專有仿生機器人技術，隨後擴展至家庭與零售市場，同時尋求與「具競爭力的全球夥伴」進行合作與策略性併購。公司正將關鍵機器人零組件內製化，並開發針對自身系統優化過的客製化零件。
在資料中心冷卻方面，三星確認收購德國 HVAC 專家 Flat Group，為進入市場奠定基礎。管理層預計該市場規模將從 2024 年的 47 億美元成長至 2030 年的 166 億美元，年複合成長率約 24%。三星計畫將 Flat Group 從目前的歐洲基地擴展至北美，並建立韓國子公司與工廠。策略邏輯明確：隨著資料中心密度增加，液冷技術成為必然，三星希望成為全方位的基礎設施供應商。
在併購方面，公司重申計畫投入超過 110 兆韓元於設施與研發，並承諾在 HVAC、車用電子、醫療科技與機器人領域追求外部成長。創投與股權投資亦被用於發掘新興技術。這些在現階段雖屬願景式聲明，但各季間傳達的一致性以及對 Flat Group 的收購，顯示出這是真正的策略意圖，而非僅是投資人關係的包裝。
三星電子深度剖析
水原巨擘：商業模式與經濟引擎
三星電子（Samsung Electronics）擁有一套無與倫比的商業模式，橫跨整個科技價值鏈，主要分為兩大龐大的事業群。裝置解決方案部門（Device Solutions）是該公司的半導體引擎，涵蓋市場領先的記憶體業務、邏輯晶片代工業務及系統 LSI。裝置體驗部門（Device eXperience）則作為面向消費者的終端部門，旗下包含行動通訊業務、顯示器及數位家電。這種雙軌制使公司既能作為全球科技生態系統的主要供應商，同時也是領先的消費性電子產品製造商。2026 年第一季，此模式的規模效應展露無遺，創造了 133.9 兆韓元的創紀錄合併營收，以及 57.2 兆韓元的營業利益。其中絕大部分獲利——超過 53 兆韓元——皆由裝置解決方案部門貢獻，這凸顯出儘管智慧型手機與電視提供了全球品牌能見度，但該公司本質上仍是一家先進材料與半導體製造巨頭。該公司透過矽晶圓的原子級獲利，以及頂級消費裝置的利潤，創造出一種獨特的避險營運結構。
市場主導地位與競爭格局
該公司的競爭格局是一場在地球上資本最密集產業中進行的多線作戰。在記憶體半導體市場，該公司於 2026 年初重奪全球絕對領導地位，在短暫落後 SK Hynix 後，動態隨機存取記憶體（DRAM）市占率逼近 40%。高頻寬記憶體（HBM）領域競爭極為激烈，SK Hynix 曾於 2025 年年中掌握 62% 的主導市占。然而，三星透過為頂尖圖形處理器（GPU）設計商快速驗證並部署先進組件，積極收復失土，預計 2026 年在高頻寬記憶體市場將取得超過 30% 的市占率。在代工業務方面，情況則截然不同。台積電（TSMC）在先進邏輯節點製造領域延續了近乎壟斷的地位，於 2026 年初拿下全球純晶圓代工市場約 72% 的市占。三星則以約 7% 的市占率位居遙遠的第二。其 3 奈米製程的良率問題曾導致客戶流失，但近期 2 奈米製程的改良已開始吸引策略性訂單，包括據傳價值 165 億美元的次世代車用人工智慧晶片製造合約。在行動裝置領域，該公司與 Apple 處於長期的雙寡頭壟斷狀態。2026 年第一季數據顯示，憑藉 Galaxy S26 Ultra 的強勁商業表現，三星拿下全球約 22% 的智慧型手機市占，領先 Apple 的 20%。
堡壘與護城河：競爭優勢
該公司的核心競爭優勢在於極致的垂直整合，以及無與倫比的資本支出能力。透過單年投入約 330 億美元的資本支出，該公司在硬體科技領域的支出幾乎超越地球上任何其他企業，為先進半導體製造築起了難以逾越的進入門檻。這種垂直整合為供應鏈波動提供了獨特的結構性避險。隨著人工智慧資料中心需求消耗全球記憶體產能，傳統原始設備製造商（OEM）面臨消費性電子產品物料清單（BOM）成本飆升的困境。當智慧型手機領域的競爭對手因記憶體價格上漲而遭受嚴重的利潤壓縮時，三星實際上是在「付錢給自己」。裝置體驗部門因組件成本上升而損失的利潤，會被裝置解決方案部門呈指數級地賺回。此外，該公司利用其獨特規模將次世代技術商業化。其轉向 1c-class 第六代 DRAM 製程用於高頻寬記憶體核心晶粒，在密度與功耗效率上對主要競爭對手形成了顯著的結構性優勢，鞏固了極少數企業能憑藉財務與工程資源跨越的技術護城河。
AI 順風與結構性機會
圍繞人工智慧的產業動態代表了一場世代性的結構轉變，而非半導體產業的週期性回升。高頻寬記憶體的產能實際上已預訂至 2026 年底，迫使超大規模雲端服務供應商簽署多年期約束性合約以確保供應。這種對先進記憶體以餵養人工智慧加速器的渴求，正從根本上將矽晶圓產能從大宗消費性記憶體中抽離，導致傳統市場出現嚴重的供應短缺。因此，標準記憶體價格在 2026 年初已連續上漲超過 50%。此動態為該公司提供了絕佳機會。透過成功擴大第六代高頻寬記憶體的量產，該公司處於絕佳位置，能搶占半導體市場中利潤最高的區塊。與此同時，傳統消費性記憶體供應緊張的環境，讓該公司能針對舊型節點採取溢價策略，大幅拉高整體混合平均售價（ASP）。其頂級智慧型手機產品組合中整合的先進裝置端人工智慧功能，也為加速消費者換機週期提供了催化劑，保護高階行動市場免於商品化。
中國的崛起：新興產業威脅
儘管高階半導體市場看似穩固，但來自中國獲政府大量補貼的新進業者已構成強大威脅。長鑫存儲（CXMT）與長江存儲（YMTC）積極擴張營運，繞過了傳統的技術成熟期。至 2026 年初，長鑫存儲已拿下全球 DRAM 市場 5% 的市占，並在現代 DDR5 晶片上達到 80% 的良率。更令既有業者獲利堪憂的是其定價策略；中國大宗記憶體產品的售價通常僅為既有供應商的一半。長江存儲同樣在 NAND 快閃記憶體市場造成干擾，準備從其武漢晶圓廠每年產出 200 萬片晶圓，有望躋身全球前三大生產商。雖然這些新進業者缺乏競爭高頻寬記憶體或先進邏輯節點所需的極紫外光（EUV）微影設備，但他們對舊型消費性記憶體市場的傾銷，恐將從結構上限制大宗晶片的定價權。若這些由國家支持的實體成功向上游價值鏈邁進，跨足低功耗行動記憶體與先進封裝，可能會嚴重侵蝕既有領導者用以支撐龐大研發預算的基礎獲利。
管理層績效與策略演進
在執行董事長李在鎔（Jay Y. Lee）的總體策略指導下，該公司近期執行了深刻的結構與領導層改組，旨在解決過去的失誤，並使集團與深度科技（deep-tech）的未來接軌。領導層意識到在初期人工智慧記憶體週期中反應遲緩，因此進行了全面檢討，任命轉型專家全永鉉（Young Hyun Jun）接掌裝置解決方案部門。在他的領導下，半導體部門成功克服了複雜的驗證瓶頸，並於 2026 年初使公司恢復至獲利巔峰。消費部門則繼續由盧泰文（TM Roh）穩健執掌，他透過在摺疊機與整合軟體智慧方面的積極創新，成功捍衛了頂級市場的市占率。除了營運調整外，管理層已釋出向轉譯科學（translational science）根本轉向的訊號。透過拔擢一位高引用率的哈佛奈米科學教授執掌三星先進技術研究院（SAIT），並將此深度研究中心與消費技術長直接對接，領導層正刻意縮小理論物理與商業產品化之間的差距。這種對科學管理的紀律化、制度化作法，展現出一個成熟的公司治理結構，具備做出捍衛其全球帝國所需之冷酷資本配置決策的能力。
評分卡
三星電子展現了一個龐大工業巨頭成功轉型至下一個運算時代的引人案例。2026 年第一季明確證明，該公司已克服先前在高頻寬記憶體領域的技術瓶頸，利用其龐大規模與先進節點能力，搶占了半導體產業正在發生的非凡利潤擴張。其無與倫比的垂直整合使其免受那些正重創消費性電子競爭對手的供應鏈衝擊，有效地將全球記憶體短缺轉化為自身優勢，同時維持在頂級智慧型手機市場的領導地位。
儘管其表現不佳的代工業務，以及中國激進市場參與者對舊型記憶體進行快速商品化所帶來的結構性挑戰依然存在，但該公司資產負債表產生的巨大重力，提供了充足的防禦能力。在現代化領導架構下的策略性重組，顯示其對次世代技術產品化採取了主動姿態。該公司在材料科學的絕對極限上運作，同時保持在消費硬體的統治地位，其本質上已與現代數位經濟的基礎層緊密交織，使其持續的現金創造能力對局部市場動盪具有高度韌性。