ASML：受惠記憶體與邏輯晶片 AI 微影需求激增，上調 2026 年財測
2026 年第一季財報電話會議，2026 年 4 月 15 日
ASML 公布強勁的第一季財報，並大幅上調 2026 年全年營收展望。受惠於記憶體與邏輯晶片客戶對先進微影產能的前所未有的需求，ASML 目前預期 2026 年營收將落在 360 億至 400 億歐元之間，高於先前預測，毛利率指引則維持在 51% 至 53%。管理層指出，與 AI 相關的基礎設施投資是推動客戶產能擴張計畫的主要催化劑，相關需求已明確延伸至 2027 年。
營收展望因全面性需求強勁而上調
ASML 第一季淨銷售額為 88 億歐元，符合預期。其中，系統設備淨銷售額為 63 億歐元，邏輯晶片與記憶體客戶占比分別為 49% 與 51%。公司本季交付了超過 41 億歐元的 EUV（極紫外光）微影系統（含兩台 High NA 機台），以及 21 億歐元的非 EUV 系統。安裝機台管理（Installed Base Management）營收則略高於預期，達 25 億歐元。
此次上調 2026 年展望反映了預期的顯著提升，特別是在浸潤式 DUV（深紫外光）系統方面。財務長 Roger Dassen 解釋，公司先前曾懷疑浸潤式機台能否達到 2025 年的水準，但經過「極為艱苦的努力」，目前認為浸潤式機台產出有望接近去年水準。關鍵在於，此增長幾乎全數來自非中國客戶，中國市場營收占比維持在總營收中位數的 20% 左右。Dassen 表示：「我們上一季曾提到，考量到浸潤式機台的供應鏈狀況，我們曾懷疑能否達到去年的水準，如今情況已有所改變。」
該指引亦反映了 EUV 預期的提升，以及因 EUV 安裝機台數增加與客戶對生產力升級的需求，帶動了安裝機台管理業務的強勁表現。管理層強調，該指引範圍已納入出口管制討論的潛在結果。
記憶體客戶年底前產能已售罄
執行長 Christophe Fouquet 形容記憶體市場需求處於前所未有的狀態，並表示：「許多客戶表示今年剩餘時間的產能已售罄，且儘管他們計畫大幅擴充產能，但預期供應受限的情況將持續至 2026 年之後。」這種供應緊縮正推動記憶體製造商在其自身客戶簽署長期協議的支撐下，積極增加資本支出。
DRAM 領域對 ASML 的微影密度（litho intensity）需求尤為有利。Fouquet 解釋，隨著效能優勢與產能考量，主要 DRAM 客戶在 2025 年已大規模採用 EUV 技術，包括美國 DRAM 客戶。Fouquet 指出：「若採用更多 EUV 層，對多重曝光（multi-patterning）的需求就會減少，而多重曝光在晶圓廠中占用了大量空間。」這種對 Low NA EUV 的採用，為未來採用 High NA 技術建立了明確路徑，運用相同的單次曝光與製程簡化邏輯。
邏輯晶片產能瓶頸推動多節點擴張
在邏輯晶片方面，客戶正跨多個先進節點擴充產能，同時為下一代 HPC（高效能運算）與行動應用加速 2 奈米製程生產。ASML 預期，隨著客戶應對 AI 驅動的需求，先進邏輯節點的供應限制將持續至 2026 年之後。管理層確認，2026 年的營收指引已納入 Samsung 與 Intel 可能增加晶圓代工產能的各種情境，不過該美國廠商目前已具備充足產能，預計今年不會有顯著貢獻。
Dassen 指出，晶圓代工業務的需求「非常龐大，已超過供應量」，這為市場領導者以外的廠商創造了機會。Samsung 在 Taylor 的計畫正逐步落實，ASML 也已開始出貨。當被問及市場結構時，Dassen 認為「擁有 3 家廠商競爭或許能確保更多創新」，儘管他也承認市場領導者即便在高度集中的環境下，依然展現了「驚人的創新能力」。
產能擴張計畫加速以滿足 2027 年需求
最值得注意的是，ASML 公布計畫將 2027 年 Low NA EUV 的產能提升至「至少 80 台」，高於 2026 年的約 60 台與 2025 年的 44 台。這意味著在短短兩年內，交付給客戶的總 EUV 產能將翻倍以上。Fouquet 強調，公司正「逐季提高產出率」，並同步擴大 DUV 與應用產品的規模。
「至少 80 台」的說法反映了公司與客戶針對需求進行的持續討論。Dassen 解釋，若以更高的生產力水準計算，80 台機台的每小時晶圓產出（wafer-per-hour）將是 2025 年出貨量的兩倍。他強調：「大家都很關注機台數量，但你們也應該關注我們在生產力方面的進展。」
生產力藍圖提供多項產能槓桿
除了機台數量，ASML 展示了更新後的 Low NA EUV 產品藍圖，顯示其短期與長期生產力目標均有所提升。公司已展示 1,000 瓦光源，目標是在本世紀末之前，將 Low NA EUV 的每小時晶圓產出提升至至少 330 片。短期內，所有 NXE:3800E 系統均可透過升級，每小時增加 10 片晶圓產出，使產能達到每小時 230 片，且在多數情況下可透過軟體切換與驗證立即啟用。
針對 NXE:3800F 系統，ASML 將每小時晶圓產出規格從 250 片提高至 260 片。公司計畫於 2027 年開始出貨 F 機型，並於 2028 年全面量產。管理層預期 2027 年出貨將以每小時 230 片產出的 E 機型為主，F 機型占比為少數。Dassen 確認，由於不再提供 D 機型且引入價格較高的 F 機型，產品組合優化將推升 2027 年的平均售價。
Fouquet 強調，產能提升「絕非單一手段」，客戶對生產力升級感到「非常滿意」，因為「這讓他們能立即獲得產能」，而不必等待新機台交付。安裝機台管理業務的強勁表現反映了這一動態，升級通常僅需軟體變更與驗證即可完成。
High NA 進展加速邁向量產
在 High NA 開發方面，ASML 報告該平台已處理超過 50 萬片晶圓，可用率超過 80%。客戶在 SPIE 先進微影與圖案化會議（Advanced Lithography and Patterning Conference）上的簡報顯示，在邏輯與 DRAM 應用中，單次 High NA 曝光即可取代需要三次或四次 Low NA 曝光的複雜多重曝光製程。對於某些關鍵層，High NA 可將總製程步驟減少 10 倍。
隨著光阻技術的進展，ASML 目前目標是將邏輯晶片的線距（line pitch）縮減至 18 奈米，DRAM 接觸孔距（contact pitch）縮減至 28 奈米以下，這意味著 High NA 可支援邏輯與 DRAM 至少三個節點的單次曝光。Fouquet 指出，已有數家客戶開始在實際產品晶圓上測試 High NA，特別是 DRAM 客戶，其「在現有產品上採用 High NA 的門檻」特別低。
當被問及產能吃緊是否會加速 High NA 的採用（因為能節省 Low NA 產能）時，Fouquet 承認有此可能，但謹慎表示「現在做出肯定回答還為時過早」。不過，他並未排除此情境，並指出這取決於未來幾個月強勁的產能需求與 High NA 成熟度進展的綜合結果。
毛利率動態反映產品組合與投資
第一季毛利率達到指引高標的 53%，主要歸功於安裝機台業務中高利潤率的零組件，特別是基於軟體的升級。針對第二季，ASML 預估毛利率將落在 51% 至 52% 之間，區間較往常收窄，主因是公司預期不會出現同樣高比例的高利潤升級，且需承擔為產能擴張招募與培訓人員的相關成本。
Dassen 解釋：「每次擴產，在獲得效益前總會有一點成本支出」，這抵銷了浸潤式機台銷量增加帶來的毛利貢獻。公司維持全年 51% 至 53% 的毛利率指引，隨著員工人數擴編成熟，下半年銷量增加與產品組合優化的效益將更為明顯。
針對外界認為產能緊張為 ASML 提供溢價機會的說法，管理層予以反駁。Dassen 強硬表示：「我們的定價模式並非基於客戶所處的困境。我們不是那樣做生意的。」ASML 的定價是基於世代交替所提供的價值，並獲取「合理的份額」，此模式一致應用於記憶體與邏輯晶片客戶。
供應鏈與製造執行步入正軌
Fouquet 對 ASML 供應鏈支援積極擴產的能力表示信心，並指出多年來為達到 90 台 Low NA 系統與 600 台總 DUV 系統所做的準備工作正「發揮成效」。他特別提到 ZEISS 與光學元件領域，這些領域在「幾年前的擴產中曾面臨重大挑戰」，但現在「狀況已好轉許多」。
執行長強調了多項執行面的改進，包括 3800E 機台成熟度提升以縮短工廠週期時間、擴大機台製造的實體產能，以及增加必要人員的能力。Fouquet 強調：「我們不希望 EUV 成為瓶頸」，並向投資人保證「我們有許多方法可以提高產能」，包括製造量、週期時間、生產力提升以及必要時的廠房擴建。
管理層確認已確保長交期零組件的供應，並近期取得土地以利未來擴張，為靈活性提供了「多重自由度」。Dassen 補充：「我們在該地區非常努力地完成了這件事，最近才剛達成目標。」
潔淨室限制緩解，客戶承諾增強
當被問及客戶潔淨室（clean room）限制是否可能限制 ASML 的出貨能力時，Fouquet 承認，在需求急劇飆升時，客戶的晶圓廠空間「是我們今年能做什麼的關鍵因素之一」。然而，上調的 2026 年展望顯示該領域已取得進展，計畫「確實更加穩固，對於何時能提供多少機台空間，有了越來越清晰的掌握」。
針對 2027 年，Fouquet 指出客戶在加速資本支出方面的猶豫已大幅減少，這歸功於 DRAM 客戶強勁的財務表現與邏輯晶片客戶的產能限制。「目前客戶心中完全沒有猶豫，不僅是因為投入資金，有時他們甚至能從自身客戶那裡獲得投資保證，更重要的是為了儘快採取行動。」市場動態已轉變為「越多、越快、越好」。
長期市場觀點正進行修正
ASML 表示，AI 的發展已實質改變了 2024 年 11 月資本市場日（Capital Markets Day）所提出的軌跡。當時公司預測 2025 年至 2030 年間，DRAM 每月晶圓開工產能每年增加 16 萬片，先進邏輯晶片每年增加 20 萬片。Fouquet 坦言：「我們都同意過去幾年 AI 改變了一切」，並指出最大的變化似乎發生在 DRAM 領域，其每年的產能增量「很可能高於我們當時討論的數字」，至少在 2026 年是如此。
管理層計畫在 2027 年資本市場日提供更新後的長期市場觀點，並請求外界給予時間「消化目前發生的一切，並嘗試將其轉化為對市場的長期看法」。Fouquet 指出，與僅僅兩季前相比，市場氛圍已發生劇烈變化，當時「我們對市場的討論還不是這樣的」。
出口管制不確定性已納入指引
ASML 確認其 2026 年指引範圍已納入出口管制討論的潛在結果，儘管管理層未提供更多細節。由於中國市場營收占比維持在總營收中位數的 20% 左右，且營收增長主要來自非中國客戶，公司似乎已為各種監管情境建立了彈性空間。
第二季展望預計總淨銷售額介於 84 億至 90 億歐元之間，安裝機台管理銷售額約為 25 億歐元，毛利率為 51% 至 52%。研發費用預計約為 12 億歐元，銷售、總務與行政支出（SG&A）約為 3 億歐元，與第一季水準一致。公司本季結束時持有 84 億歐元的現金與短期投資，自由現金流為負 26 億歐元，主因是預付款的時間差。ASML 本季回購了 11 億歐元的股票，並提議派發 2025 年末期股息每股 2.70 歐元，使 2025 年總股息達每股 7.50 歐元，較 2024 年增長 17%。
ASML 深度解析
精密的壟斷者
ASML 在全球半導體產業鏈中佔據了工業史上幾乎前所未見的地位。透過掌控極紫外光（EUV）微影設備的供應，該公司實際上已成為摩爾定律（Moore’s Law）的最終裁決者。這不僅是技術領先的問題，更是數位經濟中的關鍵瓶頸。ASML 的供應鏈架構——由專業子供應商組成的精密網絡，結合其獨有的光學與光源技術——構築了一道護城河，而其研發投入與機構記憶（institutional memory）的難以複製，更進一步鞏固了這道防線。當其他半導體設備製造商在產能或表面工程上競爭時，ASML 競爭的是奈米尺度的物理極限。
邁向高數值孔徑（High-NA）EUV 是該公司的關鍵轉折點。隨著產業轉向 2 奈米以下的製程節點，圖形化（patterning）的技術複雜度已從管理傳統光路，轉變為應對高能光子交互作用所帶來的極端隨機挑戰。ASML 在 High-NA 系統商業化上的成功，驗證了其垂直整合及與關鍵晶圓代工夥伴長期共同開發的策略。然而，這種高度依賴是一把雙面刃。ASML 與邏輯晶片及晶圓代工產業的資本密集度緊密相連，使其暴露在晶圓廠設備支出的週期性波動中，並受制於主要客戶在產能擴張與良率優化之間所做的策略調整。
產業結構與競爭動態
微影市場依然呈現極度不對稱的競爭態勢。在浸潤式深紫外光（DUV）與 EUV 系統領域，ASML 面臨來自歷史對手 Canon 或 Nikon 的挑戰微乎其微。儘管 Canon 試圖推動奈米壓印微影（nanoimprint lithography）作為昂貴 EUV 掃描機的替代方案，但該技術仍侷限於記憶體等利基應用，且缺乏推動產業獲利之先進邏輯製程所需的產能擴充性。Canon 的努力代表了一種靈活的戰術轉向，但並未威脅到 ASML 對全球主要晶圓代工廠技術藍圖所保持的基礎霸權。
反觀微影以外的設備領域——如薄膜沉積（deposition）、蝕刻（etch）與量測（metrology）——則呈現 Applied Materials、Lam Research 與 Tokyo Electron 之間的激烈競爭。這些企業對於 ASML 的生態系至關重要，因為 EUV 微影的成功完全取決於它們所實現的後續製程步驟。對 ASML 而言，風險不在於有直接競爭對手取代其掃描機，而在於晶片設計的架構轉變（例如轉向背面供電，或日益依賴小晶片（chiplets）等先進封裝技術）可能會改變微影與沉積、蝕刻之間的相對重要性。若產業能透過優越的互連技術而非縮小閘極來實現效能提升，下一代 EUV 掃描機的邊際價值主張可能會面臨檢視。
管理執行與策略風險
過去 24 個月，管理層在應對地緣政治限制與供應鏈波動方面的表現堪稱大師級，儘管過程備受壓力。儘管面臨出口管制導致全球半導體設備市場分裂的巨大壓力，該公司仍成功推動了 High-NA EUV 的部署。透過維持嚴謹的研發重心，同時擴大製造版圖，領導層確保了公司在邏輯製程節點上保持領先，這是該公司唯一可行的戰略路徑。然而，一方面依賴單一地理市場提供顯著的 DUV 營收，同時又被禁止向該市場銷售最先進的工具，這在其營運模式中造成了持續的緊張狀態。
然而，執行風險不僅限於內部，還在於客戶端的整合複雜度。隨著晶圓廠轉向 High-NA，他們正面臨全新的良率與成本挑戰。若 ASML 的客戶難以從這些龐大的資本設備投資中獲得預期的經濟回報，未來訂單的成長速度可能會放緩。管理層必須有效扮演客戶製程工程團隊的延伸，確保這些機器不僅能在實驗室中運作，還能在高產量製造中維持良率。任何環節的失誤都不會是工具本身的失敗，而是作為 ASML 統治地位基石的夥伴關係模式的失敗。
新興威脅與技術轉變
長期敘事的主要威脅並非來自微影領域的直接挑戰者，而是半導體堆疊架構的結構性變革。隨著每片晶圓的成本持續膨脹，業界普遍存在尋找具成本效益之替代方案以取代激進微縮（aggressive scaling）的訴求。例如，若材料科學或異質整合的進步使晶圓廠能利用較舊、已折舊的 DUV 設備實現高效能邏輯晶片，那麼升級至最先進 EUV 平台的急迫性將會降低。這種轉變將從根本上改變公司的成長軌跡，使其從高成長的微縮推動者，轉變為提供舊有設備維護與漸進式升級的穩定型供應商。
此外，定向自組裝（directed self-assembly）或蝕刻沉積中先進的多重圖形化（multi-patterning）改良等破壞性圖形化技術的出現，顯示業界正探索各種途徑以推遲對更複雜微影技術的需求。雖然這些技術目前皆無法取代 EUV，但它們代表了業界為規避 ASML 所制定的成本結構而進行的持續性智力與工程投入。公司對此並非毫無察覺，因此致力於優化現有掃描機隊的產能，然而半導體產業傾向於選擇「足夠好」的微縮而非極致成本的微縮，這對該公司多年的看漲論點仍構成非零風險。
績效總結
ASML 仍是全球科技基礎設施中最關鍵的節點，其技術領先優勢有效地排除了高階微影領域的競爭。只要邏輯晶圓代工廠維持對節點微縮的承諾，ASML 對半導體產業藍圖的掌控力，便能提供極為罕見的未來需求能見度。High-NA 系統的成功部署，以及在地緣政治限制日益收緊下維持一致全球策略的能力，展現了資本設備領域中無人能及的營運韌性。該業務建立在智慧財產權的基礎上，任何新進者若想企及，都需要數十年的時間與數百億美元的資本投入。
儘管具備上述優勢，該公司仍無法免疫於半導體投資週期的冷卻，或產業整體微縮優先級的轉變。主要風險仍是現有定價能力的持續性，因為客戶正苦於應對先進製程的高昂成本，並尋求替代性的架構效率。雖然來自傳統對手的競爭威脅微乎其微，但晶片設計方式的結構性轉變（即優先考慮整合而非單純的微影微縮）是一個可能影響長期終端成長率的隱性變數。ASML 是一家具備高護城河的必要企業，但它同時也是其所賦能產業的人質，其長期健康狀況完全取決於其最大客戶是否有意願持續投入巨資，推進至下一個奈米節點。