BE Semiconductor Industries、売上高目標を17億〜22億ユーロに引き上げ ハイブリッドボンディングの普及とフォトニクス需要が牽引
キャピタル・マーケッツ・デー（2026年6月18日）
BE Semiconductor Industries（Besi）は、長期的な売上高モデルを約15%上方修正した。ロジックやメモリ分野におけるハイブリッドボンディング技術の採用加速に加え、コパッケージド・オプティクス（CPO）が研究段階からわずか1年で量産フェーズへと移行する「想定外のブレークスルー」が背景にある。オランダの先端パッケージング装置メーカーである同社は、従来の15億〜19億ユーロから、17億〜22億ユーロへと目標レンジを引き上げた。経営陣は、これらの予測が希望的観測ではなく、具体的な商談や顧客との合意に基づいたものであることを強調した。
フォトニクスへの移行が短期的な成長軌道を再定義
今回のモデル修正の最大の要因は、予想をはるかに上回るスピードで開発から量産へ移行したCPOにある。リチャード・ブリックマンCEOは、この変化を「わずか1年で『ゼロからヒーロー』になった」と表現した。市場予測では、CPOの年間出荷台数は2026年の20万個から2030年には6,000万個に達すると見込まれている。これは年平均成長率（CAGR）で300%を超える水準であり、光学モジュールには精密な銅と銅の接続（カッパー・ツー・カッパー）が必要となるため、ハイブリッドボンディング需要に直結する。
技術担当シニア・バイス・プレジデントのクリス・スキャンラン氏は、採用を後押しする技術的必然性を次のように説明した。「電力効率の向上とレイテンシの20分の1への短縮が鍵です」。同氏はTSMCのカンファレンスで発表された同社の「COUPE」パッケージングプラットフォームのデータを引用し、「データセンターが現在抱える膨大な負荷と消費電力を考えれば、これらのデバイスを利用する側から、こうした性能を求める強いニーズが生まれるのは必然です」と述べた。
すでに量産されているNVIDIAのネットワークスイッチ「Spectrum X」には、中央プロセッサの周囲にハイブリッドボンディングで製造された36個のCPOチップレットが組み込まれている。このアーキテクチャは、サーバーラック間のスケールアウト・ネットワークから、ラック内のGPU同士を接続するスケールアップ・ネットワークへと拡大しており、NVIDIAが2028年に投入するGPU世代「Feynman」では、さらに大規模な採用が見込まれている。
ロジックでの採用確定、メモリでも変曲点が接近
ロジック分野では、BesiはハイブリッドボンディングがAIプロセッサにおける「支配的な接続技術」になったと明かした。Intelはすでに6つの自動化生産ラインで30台のボンダーを稼働させている。AppleのノートPC向けプロセッサ「M5 Pro」および「M5 Max」は、小売市場で入手可能な初のハイブリッドボンディング採用の民生品であり、データセンター向けから数百万台規模の出荷を誇るデバイスへと用途が拡大したことを示している。
サブミクロン事業を担当するピーター・ウィードナー氏は、広帯域メモリ（HBM）への採用について最も明確なシグナルを示した。「主要3社すべてがHBM向けハイブリッドボンディングを真剣に研究・評価しています」と同氏は述べた。「先行メーカーは研究で非常に進んでおり、2027年の『HBM 4e』で初の採用が行われることは極めて明白です」。ウィードナー氏によれば、最大手のメモリメーカーはすでに量産に向けた工場インフラの準備を進めており、メモリ積層におけるハイブリッドボンディングの採用は確実なものとなった。
技術的な根拠は熱性能にある。イベントで発表されたSamsungのデータによると、12層のHBMスタックにおいて、従来のマイクロバンプ接続と比較してハイブリッドボンディングでは熱抵抗が30%改善した。メモリベンダーが16層や20層への積層を進め、バンプピッチを12ミクロン程度まで微細化するカスタムHBMへと移行する中で、その利点はさらに増幅される。経営陣はHBM 4eで移行が始まり、HBM 5では次世代の性能要件を満たすために必須となることから、組み立て装置需要の大半をハイブリッドボンディングが占めると見ている。
パッケージタイプ全体で装置の集約度が上昇
ダイアタッチ担当シニア・バイス・プレジデントのクリストフ・シャイリング氏は、2.5Dパッケージングが半導体ユニットの成長とは独立して、構造的な装置需要を生み出していると詳細を語った。次世代AIアクセラレータパッケージでは、10年前のシングルチッププロセスと比較して、40もの異なるダイボンディング工程が必要になる場合がある。再配線層（RDL）インターポーザを用いたCoWoS-Lアーキテクチャへの移行に伴い、ブリッジダイの配置工程が追加されており、Besiはこれに対し、高スループットかつ1ミクロンの精度を実現する新プラットフォーム「Chameo Flex 8800」で対応している。
フォトニクストランシーバー市場では、1.6テラビットモジュールへの移行により、光レーンの数が倍増するため、ダイアタッチの集約度が現在の800ギガビットユニットと比較して実質的に2倍になるとシャイリング氏は説明した。トランシーバーのインストールベースは2025年の1億ユニットから2030年にはCAGR 30%で大幅に拡大すると予測されており、Innolightをはじめとする主要サプライヤーすべてでBesiが「ツール・オブ・リファレンス（推奨装置）」の地位を確保していることから、継続的な装置購入が見込まれる。
製品ロードマップが競争上の優位性を強化
Besiの技術的リーダーシップは、Applied Materialsとの提携を通じて蓄積された精度向上とプロセスノウハウに支えられている。現行の100ナノメートル対応「N100」プラットフォームは、6ミクロンピッチのロジックと、今後予定されているメモリ用途の両方をカバーする。今年から顧客によるベータテストが始まる「N50」世代は、3ミクロンピッチのロジックデバイスをサポートしつつ、メモリ積層向けのスループットを向上させ、精度とTCO（総所有コスト）の両方の要件に応える。
経営陣は、1ミクロン未満のバンプピッチをターゲットとした次世代機の開発がすでに進行中であり、2030年末までを見据えた顧客のロードマップに沿っていることを明かした。ブリックマン氏は、同社のフロントエンド（前工程）型のサポートモデルが競合に対する参入障壁になっていると強調した。「フロントエンドでは全く異なる働き方が求められます」とウィードナー氏は指摘し、量産にはバックエンドの組み立てで一般的な受動的なサービスではなく、継続的なオンサイト対応が必要であると説明した。
Applied Materialsと共同運営するシンガポールのセンター・オブ・エクセレンスでは、25社以上の顧客がプロセス開発に取り組んでおり、これはすでにハイブリッドボンダーを量産導入した20社という数字と密接に連動している。このエンゲージメントモデルは、Appliedの補完的な前処理装置や計測装置と組み合わさることで、顧客が単独のツールではなく統合されたプロセスフローを認定するため、スイッチングコスト（乗り換えコスト）を生み出している。
ミックスの変化と価格決定力が利益率を押し上げ
現在の事業モデルでは、営業利益率はBesiの歴史的な水準である60%台半ばを上回ることを目標としている。これは製品ミックスと価格決定力によるものだ。経営陣は、開発の複雑化と装置の高度化に伴い、ハイブリッドボンダーの平均販売単価（ASP）は精度世代が上がるごとに上昇すると示唆した。四半期受注高が5億ユーロに迫る中、第2四半期の純利益率ガイダンスは30%を超えており、財務プロファイルは過去の景気循環のピーク時のみに見られた水準に近づいている。
同社は年間300台のハイブリッドボンダーを供給できる体制を整えており、ベトナムへの拡大により資本集約度を抑えつつスループットを向上させている。ブリックマン氏は顧客による製造能力の認定について、「顧客は常に当社の能力をテストに来ます。彼ら自身も同様の課題を抱えており、必要な時にBesiが供給できるかを確認するためです」と語った。
競争環境と地理的要因
10社以上がハイブリッドボンディングの開発プログラムを発表している中で、技術的リーダーシップの持続性について問われると、経営陣はスペックシートではなく、プロセスウィンドウの制御と歩留まりの達成に自信を見せた。「世界中のあらゆる製品製造において、プロセスウィンドウ、そのウィンドウの信頼性、そして結果としての歩留まりが重要です」とブリックマン氏は述べた。「最終的に量産販売を実現し、正しく運用できれば、それが利益率につながります」
同社は、5年という期間で見れば低精度セグメントでの競争が激化することは認めたが、それらのセグメントは利益率が「はるかに魅力的ではなく」、次世代開発からエンジニアリングリソースを割く正当性はないとした。タイミングについてブリックマン氏は、現在の競争優位性は「非常に十分」であり、15ナノメートルクラスのツールがハイエンドロジックセグメントにとって直近の脅威になることはないとの確信を示した。
中国は依然として重要な市場だが、経営陣はシェア拡大よりも利益率を重視するアプローチをとっている。シャイリング氏は、中国における先端パッケージング活動は2.5Dやフォトニクスといった世界的なトレンドを反映しているとし、「中国では単に技術が利用できない」分野での差別化を通じてBesiが地位を維持していると指摘した。同社は輸出管理リスクを軽減するため製品に含まれる米国製コンポーネントを削減する一方、中国以外の顧客からの需要がベトナム、フィリピン、タイ、インドでの生産へとシフトしていることを強調した。
半導体サイクルを超えた構造的な成長論
経営陣は今回の目標上方修正について、循環的な要因ではなく構造的なドライバーを反映したものだと位置づけた。かつてはスマートフォンや自動車のサイクルに左右されていたメインストリームのダイアタッチ事業だが、シャイリング氏によれば、現在は「従来の半導体サイクルに加えて、構造的なAI需要」が上乗せされている。メインストリームのダイアタッチ市場は2030年までに8%増の16億ユーロに達する見込みで、成長はフリップチップやマルチモジュール実装を必要とする先端セグメントに集中している。
半導体装置市場全体について、Besiは組み立て装置需要が2025年の54億ユーロから2028年には83億ユーロへと成長するデータを提示した。これは前工程装置よりも緩やかな軌道だが、パッケージングの集約度向上に支えられている。同社は、米国、台湾、韓国、インド、シンガポール、中国、欧州、ベトナム、マレーシアで進む先端パッケージング工場の建設発表を、短期的な半導体ユニットの変動に関わらず装置購入を牽引する、複数年にわたるインフラ投資の証拠として強調した。
最後にブリックマン氏は、急速な技術転換が続く業界における予測の難しさについて見解を述べた。「6億ユーロの売上のうち約40%は、年初に予想していたものとは全く異なるビジネスでした」と、第3四半期に表面化したAIインフラ構築による2025年の売上増を振り返った。「我々は多くのことを知っていますが、市場を動かしているすべての要因を把握しているわけではありません。ですから、少しばかりの保守的な姿勢を皆さんと共有したいと考えています」