ASM International 財報亮眼，AI 驅動邏輯與記憶體需求超乎預期
2026 年第一季財報電話會議，2026 年 4 月 22 日
ASM International 公布了強勁的第一季業績，並大幅調升第二季財測，顯示半導體設備需求正以超乎樂觀預期的速度增長，主因是全產業的 AI 運算需求已超越供給。公司預估第二季營收將達 9.8 億歐元，較市場共識高出約 1 億歐元，並較 2025 年第四季 7 億歐元的季度營收水準，出現近 40% 的季增幅度。
這波成長並非來自單一領域。執行長 Hichem M'Saad 明確表示，ASM 目前「火力全開」，成長動能涵蓋先進邏輯與晶圓代工、成熟邏輯與晶圓代工、用於 HBM（高頻寬記憶體）的 DRAM，甚至是 AI 資料中心的電源裝置。公司全年的成長幅度將輕鬆超越晶圓廠設備（WFE）市場的擴張速度，再次確立 ASM 作為 AI 基礎設施建設主要受惠者的地位。
代理型 AI（Agentic AI）推動 3 奈米至 7 奈米節點 CPU 需求意外激增
本季最顯著的新進展，是 3 奈米至 7 奈米製程產能的需求意外激增。M'Saad 解釋道：「代理型 AI（Agentic AI）正變得愈發重要，這傾向於增加對 CPU 而非 GPU 的使用。」這種轉向 CPU 密集型工作負載的趨勢，導致過去被視為成熟的節點出現產能瓶頸，迫使客戶緊急增加產能。
由 CPU 驅動的需求，代表 AI 半導體需求已從過去兩年以 GPU 為中心的基礎設施，呈現顯著的多元化擴張。正如 M'Saad 所指出，需求「已超越供給，這促使客戶在這些節點上重新投入產能」。即便在下一代節點的全面貢獻尚未顯現前，這種動態已為 ASM 的近期成長提供支撐。
市場急迫感顯而易見。當被問及訂單提前拉貨的情況時，M'Saad 直言：「每個客戶都希望現在就拿到設備，而不是明天。我認為需求非常高。對我們而言，現在的問題是該先出貨給哪位客戶。」公司 2026 年產能已全數預訂完畢，目前限制 ASM 出貨速度的主要因素是供應鏈瓶頸，而非製造產能。
1.4 奈米節點加速，預計 2026 年下半年啟動
ASM 針對產業下一個重大節點——1.4 奈米製程提供了重要細節，公司預期該節點將帶來更高的產品含量與市占率成長。M'Saad 確認：「我們預計 1.4 奈米製程將於 2026 年下半年開始採用」，試產線投資將於今年稍晚啟動。財務長 Paul Verhagen 強調：「今年針對 1.4 奈米進行的試產，由於製程層數增加，我們已經看到非常顯著的貢獻。」
1.4 奈米的機會源於其架構選擇，這與 2 奈米第一代環繞式閘極（GAA）架構有所不同。M'Saad 解釋：「對於 2 奈米節點，這是一次架構變革，因此客戶不希望因架構改變而過於激進地增加功能層。但進入 1.4 奈米後，他們增加了許多『好東西』，我們稱之為效能層（performance layers）。這些層主要就是 ALD（原子層沉積）層。」
這些額外的 ALD 步驟集中在前段製程（FEOL），正是 ASM 競爭優勢最強的領域。公司已在 1.4 奈米節點取得「多項關鍵產品滲透」的勝利，包括鉬（molybdenum）ALD 的額外製程記錄層。ASM 預期在該節點的 ALD 市占率將高於 2 奈米，其服務可觸及市場（SAM）的擴張幅度將進一步超越當前節點轉換所帶來的成長。
重要的是，M'Saad 確認 ASM 正「與所有客戶合作開發 1.4 奈米第二代製程」，並看見「所有客戶的業務都在增強」。儘管各客戶進度不一，有的僅微幅增加，有的則大幅擴產，但地理與客戶群的多元化，為 2027 年的營收流提供了顯著的風險分散效果。
中國市場營收上半年加速，全年展望依然強勁
得益於更廣泛客戶群在成熟邏輯與晶圓代工領域的應用，ASM 第一季在中國市場表現亮眼。公司預期中國市場營收佔全年設備營收的比例，將與 2025 年（占比略高於 30%）相當。然而，季度分布明顯不同，上半年中國營收將顯著高於目前對下半年的能見度。
Verhagen 坦言，這種加速可能反映了對潛在出口管制變動的擔憂：「市場顯然在加速，客戶除了考量關稅外，也可能受到出口管制擔憂的影響。」儘管華盛頓仍在討論《MATCH Act》，但 Verhagen 強調：「最終是否會實施、何時實施，以及具體形式為何，目前都充滿不確定性。」
除了策略性的時機考量外，ASM 在中國的表現也反映了實質的技術優勢。M'Saad 強調：「ASM 持續贏得新訂單，這也是我們在中國表現強勁的原因。這證明了我們解決方案的持續競爭力以及當地團隊的實力。」
記憶體動能增強，但 4F² 影響推遲至 2028 年
DRAM 在第一季表現穩健，且「在用於 HBM 相關應用的最先進 DRAM 技術中，動能強勁」。預期記憶體部門全年將展現顯著成長，主要由 DRAM 驅動，並受惠於 AI 基礎設施的持續擴張。
然而，ASM 在記憶體領域最大的機會點時程似乎略有延後。Verhagen 指出，向 4F² DRAM 架構的轉換——這將使 ASM 每月 10 萬片晶圓產能的服務可觸及市場增加約 4 億至 4.5 億美元——現在應調整至 2028 年而非 2027 年。他解釋：「客戶的採用步伐各異，甚至可能有客戶完全跳過該技術。」
M'Saad 則對長期記憶體前景抱持樂觀，他提到「我們看到一些客戶將 FinFET 技術納入其 DRAM 發展藍圖中」。鑑於 ASM 在邏輯應用中具備 FinFET 技術優勢，這有望在 4F² 轉換前帶來額外的層數訂單。不過，M'Saad 確認：「最大的成長將在 2028 年及以後，但 2027 年也會看到一些成長。」
財務表現展現營運槓桿效益
第一季營收為 8.63 億歐元，位於財測高標，按固定匯率計算年增 16%，季增 26%。設備銷售按固定匯率計算增長 14%，由 ALD 領軍。備品與服務業務表現卓越，按固定匯率計算年增 23%，創下歷史新高，其中以成果為導向的服務合約目前約占售後市場組合的 25%。
毛利率達到 53.3%，與去年同期持平，但較第四季的 49.8% 大幅提升。此改善反映了有利的產品與客戶組合（包括中國市場的貢獻），以及多年期成本削減計畫帶來的漸進效益。Verhagen 預期全年毛利率將保持在「47% 至 51% 目標區間的高標」。
營業利益率達到創紀錄的 33.1%，營業利益按固定匯率計算年增 21%。銷售、總務及行政費用（SG&A）按固定匯率計算僅增加 8%，且占營收比重下降，顯示即便營收快速擴張，公司仍維持嚴格的成本管理。公司持續將全年 SG&A 占比目標設定在營收的 9% 以下。
第一季自由現金流為負 4,800 萬歐元，完全是由於營運活動擴張導致的營運資金流出所致。營運資金週轉天數從年底的 45 天升至 69 天，主要由於營收季增帶來的應收帳款增加，以及季度銷售分布偏向後段。本季結束時，公司持有近 10 億歐元現金。
先進封裝成為策略性成長引擎
ASM 在先進封裝領域取得顯著進展，將其定位為核心晶圓製造業務以外的中期成長驅動力。公司於 2 月收購了 CMP（化學機械研磨）專家 Axus Technology，為此市場擴張提供了關鍵能力。
M'Saad 闡述了雄心勃勃的願景：「我們正以不同的角度看待先進封裝，思考如何透過技術顛覆市場？」具體的開發領域包括利用新材料降低熱質量以改善導熱性、更佳的防潮密封以防止封裝退化、提升晶片間連接速度，以及開發創新的光子層。
收購 Axus 解決了先進封裝中日益增加的 CMP 需求，並能與 ASM 的材料沉積能力更好地整合。M'Saad 解釋：「沉積薄膜後也需要進行 CMP。因此，我們希望了解我們沉積的新材料與 CMP 之間的交互作用。」
客戶互動相當廣泛。M'Saad 指出：「我們與客戶有許多互動，必須排定優先順序，有時我們必須告訴客戶，我們可能無法在該領域提供協助。」這種選擇性顯示 ASM 正聚焦於能發揮材料科學專業、提供差異化解決方案的機會，而非在既有製程中追求邊際性的布局。
儘管 WFE 組合存在逆風，2027 年展望依然樂觀
ASM 未提供 2027 年的具體財測，但明確表示明年「將是強勁的一年」。公司在投資人日設定的 38 億至 47 億歐元營收目標，是基於 1,200 億歐元的 WFE 市場規模，而當前市場預期 2027 年 WFE 支出將達 1,700 億至 1,800 億歐元。
然而，Verhagen 提醒不要對較高的 WFE 數字進行線性推算：「我們當時對市場組合的假設與今天所見截然不同。當時假設邏輯/晶圓代工占總 WFE 的絕大部分，但現在記憶體的相對比重已顯著高於我們當初的預期。」
鑑於 ASM 在記憶體領域的曝險相對低於邏輯與晶圓代工，WFE 組合轉向記憶體對公司完全獲取整體市場成長構成逆風。儘管如此，ASM 預期 2027 年仍將持續超越 WFE 市場成長，動能來自 1.4 奈米製程導入、先進與成熟邏輯節點的持續強勁、DRAM 投資增加，以及先進封裝的初期貢獻。
公司正為此成長提前布局，預計 2026 年資本支出將「略高於 1.5 億至 2.5 億歐元指導區間的高標」。其中最大項目是 Scottsdale 新廠，預計於 2027 年第一季完工。M'Saad 指出，製造產能目前並非瓶頸，「我們在新加坡與韓國的現有擴張空間足以應付業務需求」。
M'Saad 最後以半導體設備財報會議中罕見的自信總結道：「現在是投身半導體產業的最佳時機。」隨著技術轉換有利於 ASM 在 ALD 與磊晶（epitaxy）的優勢，多個節點世代同時推進，加上 AI 需求持續超乎預期，這份樂觀顯然有其依據。
ASM International 深度解析
商業模式與營收來源
ASM International 是一家高度專業化的前段晶圓製造設備供應商，在全球半導體供應鏈中扮演關鍵推手。該公司的核心營收來自於設計、製造並銷售先進沉積設備，將超薄材料薄膜塗佈於矽晶圓上。這些製程（特別是原子層沉積與磊晶）旨在實現原子級的物質操控，提供製造 3 奈米以下電晶體架構所需的精密度。設備銷售約佔其營收的四分之三。為輔助資本設備銷售，公司策略性地透過備品與服務部門，建立了一套高獲利且具經常性的營收來源。該部門在 2026 年第一季年增 23%，且日益仰賴與優化晶圓廠稼動率直接掛鉤的績效導向服務合約，為硬體採購週期固有的景氣循環提供了關鍵緩衝。
主要客戶、競爭對手與供應商
ASM International 的客戶群高度集中，反映出尖端半導體製造領域的寡占現實。公司營運高度依賴全球領先邏輯晶圓代工廠與記憶體大廠（特別是 TSMC、Samsung 與 Intel）的資本支出週期。歷史數據顯示，前三大客戶貢獻了約 60% 的總銷售額，前十大客戶則佔比超過 70%。推動這些晶圓廠需求的終端客戶涵蓋全球數位經濟，主要由高效能運算、人工智慧資料中心及先進車用功率電子所支撐。在競爭方面，公司面臨 Applied Materials、Lam Research 與 Tokyo Electron 等多元化半導體設備巨頭的挑戰。儘管這些巨擘提供涵蓋蝕刻、微影與量測等廣泛的製造設備，ASM International 則以精準、純粹的沉積技術專家身分進行競爭。在供應端，公司採取外包製造模式，仰賴全球高度專業的精密零組件製造商網路，供應光學元件、先進機器人與氣體輸送閥。這種輕資產模式效率極高，但也使公司暴露於半導體供應鏈常見的結構性瓶頸風險中。
市場佔有率動態
在高度複雜的單晶圓原子層沉積（ALD）領域，ASM International 是無可爭議的市場領導者，市佔率超過 55%。這種主導地位在最先進的邏輯節點尤為顯著，由於複雜 3D 結構對均勻度與共形性有極高要求，單晶圓製程已成為不可或缺的技術。其餘市佔率則由 Applied Materials、Tokyo Electron 與 Lam Research 激烈爭奪，共同構成沉積設備市場的第一梯隊。儘管競爭對手試圖透過將沉積工具與其他前段設備進行綑綁銷售來搶佔市佔率，ASM International 仍成功透過主導尖端製造中高毛利的關鍵製程，鞏固了其領導地位。這種在單晶圓系統的強勢市佔，成為公司成功的策略楔子，使其得以順利交叉銷售電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）與矽磊晶等鄰近技術。
競爭優勢
ASM International 擁有的經濟護城河極其寬廣，深植於結構性無形資產、強大的轉換成本以及客戶整合程度。在極其複雜的架構（如高介電常數金屬閘極與環繞式閘極電晶體）上進行原子級沉積，需要公司數十年來精煉的專利化學技術與硬體整合能力。其旗艦級單晶圓平台已深度嵌入頂尖晶圓廠的基礎製程配方中。一旦原子層沉積設備在特定製程節點獲得認證，由於更換設備將面臨災難性的良率下滑風險，幾乎不可能被競爭對手的系統取代。這種結構性的鎖定效應賦予公司巨大的定價權，其卓越的財務表現即是明證：公司毛利率常態性維持在 53% 以上，並於 2026 年第一季創下 33.1% 的營業利益率紀錄。此外，高效的研發飛輪持續資助下一代節點的探索，確保其平台能與晶圓廠的多年技術藍圖同步開發。
產業動態：機會與威脅
推動 ASM International 成長的根本順風，在於半導體產業正從平面幾何結構，無情地轉向日益複雜的 3D 電晶體架構。在 2 奈米與 1.4 奈米節點從 FinFET 轉向環繞式閘極（GAA）電晶體，是一座結構性的金礦。GAA 設計所需的沉積次數遠高於先前架構，從結構上增加了每片晶圓的原子層沉積資本密集度。同時，生成式人工智慧的普及正推動對高頻寬記憶體（HBM）的渴求，而 HBM 仰賴的先進封裝與高精度沉積步驟，正與公司的技術能力完美契合。另一方面，產業動態也帶來嚴峻的地緣政治與總體經濟威脅。歷史上，中國客戶貢獻了超過 30% 的總營收，主要針對成熟邏輯節點。美國與歐洲政府持續收緊半導體設備出口管制，形成了一種持續且難以量化的陰影，威脅到對該獲利市場的存取權。此外，晶圓製造設備市場仍具備殘酷的景氣循環特性。任何導致頂尖晶圓廠大幅延後資本支出的總體經濟消化期，都將直接且嚴重衝擊其營收。
成長驅動因素：新產品與技術
管理層正積極將新型製程技術商業化，以爭取未來晶圓廠預算中更大的份額。一個主要例子是鉬（Molybdenum）原子層沉積與區域選擇性沉積（Area Selective Deposition）的部署，兩者目前皆已進入 2 奈米節點的量產階段。區域選擇性沉積具革命性，因為它允許晶片製造商僅在晶圓所需位置沉積材料，完全繞過極其昂貴的微影與蝕刻步驟。除了傳統邏輯與記憶體，公司在以 4.7 億歐元收購 LPE 後，已積極鎖定高成長的功率電子市場。這促成了近期 PE2O8 的商業化發布，這是一款針對電動車與綠能供應鏈瓶頸、高度先進的雙腔體碳化矽（SiC）磊晶系統。透過快速擴張磊晶產品組合，公司已成功打造出除了傳統邏輯與記憶體業務之外，另一個強大且具高度差異化的成長引擎。
破壞性技術與新進業者
半導體資本設備巨大的資本密集度與嚴格的智慧財產權要求，使市場免受投機性新創公司的威脅。然而，原子級工程的快速擴張前沿正吸引資金雄厚、專注於新型前驅物與空間沉積技術的業者，例如 Forge Nano。儘管這些公司目前鎖定電池塗層與特定工業應用，但其在空間層沉積技術的創新，未來可能遷移至半導體封裝領域，構成邊緣威脅。更迫切的破壞來自於利用規模優勢切入 ASM International 高獲利領域的巨型現有業者。2025 年初，Lam Research 將 ALTUS Halo 商業化，這是一款業界首創的鉬沉積解決方案，專為解決先進邏輯與記憶體中低電阻金屬化挑戰而設計。隨著產業邁向 1.4 奈米門檻，這些資本雄厚的巨頭將日益嘗試研發能跨越蝕刻、金屬化與沉積製程的下一代工具，威脅到純粹技術優勢的邊緣化。
管理層績效
從前執行長 Benjamin Loh 到現任執行長 Hichem M'Saad 的高層交接執行得無懈可擊，將高度波動的產業週期中的營運干擾降至最低。在前任領導下，公司成功鞏固了沉積技術的主導地位，並積極擴張全球研發版圖。身為技術型領導者的 M'Saad 在應對 2024 與 2025 年半導體景氣循環複雜性的同時，維持了這項積極的軌跡。管理層的資本配置框架極其自律且具高度增值效益。收購 LPE 以進入碳化矽市場的策略時機完美，立即提供了高毛利營收來源，抵銷了傳統類比部門的結構性疲軟。在財務上，執行團隊以絕對精準的臨床式操作，推動 2025 年營收達到 32 億歐元的歷史新高，同時將營業利益率提升至結構性高點。此外，維持無債務的清淨資產負債表，持有超過 10 億歐元現金，並啟動 1.5 億歐元的庫藏股計畫，皆凸顯了該管理團隊與長期股東價值創造的高度一致性。
評分卡
ASM International 憑藉在尖端半導體製造中對單晶圓原子層沉積的近乎壟斷地位，展現出深厚的競爭實力。公司與全球頂尖晶圓廠研發藍圖的深度整合，創造了幾乎無法逾越的轉換成本，賦予其巨大的定價權，並清楚反映在業界領先的毛利率與營業利益率上。隨著產業結構圍繞環繞式閘極電晶體架構、高頻寬記憶體與碳化矽功率電子進行重組，該公司已做好萬全準備，透過每片晶圓更高的沉積步驟密度，攫取超額的資本支出份額。
儘管擁有這些卓越的營運護城河，公司仍高度暴露於半導體設備景氣循環與極端客戶集中的不可抗力影響下。其前三大客戶的任何資本支出延遲，或針對其龐大中國營收基礎的地緣政治出口管制升級，都將帶來直接且劇烈的波動。總體而言，該公司是對原子級物理複雜度日益提升的完美純粹投資標的，提供了對下一代矽晶圓製造中最關鍵瓶頸的純粹、不摻雜的曝險機會。