BE Semiconductor Industries 上調營收目標至 17 億至 22 億歐元，混合鍵合技術與光子學爆發式成長為核心動能
資本市場日，2026 年 6 月 18 日
BE Semiconductor Industries（Besi）將其長期營收模型上調約 15%，主要歸因於混合鍵合（hybrid bonding）技術在邏輯晶片與記憶體領域的加速採用，以及共同封裝光學元件（co-packaged optics, CPO）的意外突破——該技術在短短 12 個月內便從研發階段跨入量產。這家荷蘭先進封裝設備供應商目前的營收目標為 17 億至 22 億歐元，高於先前 1.5 億至 19 億歐元的預測區間。管理層強調，所有預測均反映已確定的業務與客戶關係，而非僅是願景式的預估。
光子學轉型重塑短期成長軌跡
推動模型修正的最關鍵因素在於共同封裝光學元件（CPO），其從開發階段進入生產的速度遠超預期。公司執行長 Richard Blickman 將此轉變形容為一年內「從無到有、異軍突起」，市場預測機構目前預計 CPO 年產量將從 2026 年的 20 萬個，成長至 2030 年的 6,000 萬個。這代表年複合成長率超過 300%，且由於每個光學模組皆需精密的銅對銅（copper-to-copper）互連，這直接轉化為對混合鍵合設備的需求。
技術資深副總裁 Chris Scanlan 解釋了推動採用的技術必要性。他引用台積電（TSMC）關於其 COUPE 封裝平台的簡報數據表示：「這帶來了更高的能源效率與 20 倍的延遲降低。考慮到現今資料中心面臨的龐大能源消耗壓力，終端設備使用者對此有著極強的驅動需求。」
NVIDIA 已投入生產的 Spectrum X 網路交換器，在中央處理器周圍整合了 36 個採用混合鍵合技術製造的 CPO 小晶片（chiplet）。此架構正從伺服器機架間的橫向擴充（scale-out）網路，擴展至連接機架內 GPU 的縱向擴充（scale-up）網路，這是一項已宣布將應用於 NVIDIA 2028 年 Feynman GPU 世代的高產量應用。
邏輯晶片應用確認，記憶體領域即將迎來轉折
在邏輯晶片方面，Besi 透露混合鍵合已成為 AI 處理器的「主要互連技術」，Intel 目前已在六條自動化生產線上運作 30 台鍵合機。Apple 的 M5 Pro 與 M5 Max 筆電處理器則代表首批進入零售市場的消費級混合鍵合產品，標誌著該技術已從資料中心應用擴展至年出貨量達數百萬台的消費裝置。
負責公司次微米（Sub Micron）業務的 Peter Wiedner 針對高頻寬記憶體（HBM）的採用提供了迄今最明確的訊號。他表示：「三大領先供應商皆在進行嚴肅的研發，並認真評估將混合鍵合應用於 HBM 記憶體。領先者在研發上已非常深入，且非常明確的是，首家廠商將於 2027 年在 HBM 4e 中採用混合互連技術。」Wiedner 補充，該領先記憶體製造商已在準備量產工廠基礎設施，這解決了混合鍵合是否會滲透至記憶體堆疊領域的疑慮。
技術關鍵在於散熱效能。三星（Samsung）在活動中展示的數據顯示，與 12 層 HBM 堆疊中的微凸塊（micro-bump）互連相比，採用混合鍵合可將熱阻降低 30%。隨著記憶體廠商堆疊層數達到 16 或 20 層，並推向凸塊間距（bump pitch）約 12 微米的客製化 HBM 配置，其優勢將會倍增。管理層預期 HBM 4e 將開啟此轉型，而 HBM 5 將使混合鍵合佔據組裝設備需求的大部分，因為該技術已成為滿足下一代效能規格的必要條件。
封裝類型的設備需求強度倍增
晶片貼裝（Die Attach）資深副總裁 Christoph Scheiring 詳細說明了 2.5D 封裝如何產生獨立於半導體單位成長之外的結構性設備需求。下一代 AI 加速器封裝可能需要 40 個不同的晶片貼裝步驟，相較於十年前的單晶片製程大幅增加。轉向使用重佈線層（RDL）中介層的 CoWoS-L 架構，增加了橋接晶片（bridge die）的放置作業，Besi 透過新推出的 Chameo Flex 8800 平台解決此需求，該平台專為高產能下的 1 微米精度而設計。
在光子收發器市場，Scheiring 解釋說，隨著光學通道數量倍增，轉向 1.6 Terabit 模組使晶片貼裝需求強度較目前的 800-Gigabit 單元增加了一倍。預測收發器裝機量將以 30% 的年複合成長率，從 2025 年的 1 億個成長至 2030 年的更高水準，且 Besi 在包括 Innolight 等所有領先供應商處皆佔據「基準設備」（tool-of-reference）地位，這意味著設備採購需求將持續成長。
產品路線圖擴大競爭護城河
Besi 的技術領先地位核心在於精度提升，以及透過與應用材料公司（Applied Materials）合作所累積的製程技術。目前的 100 奈米 N100 平台同時服務於 6 微米凸塊間距的邏輯晶片與即將到來的記憶體應用。今年進入客戶測試階段的 N50 世代，將支援 3 微米間距的邏輯裝置，同時提高記憶體堆疊的產能，滿足精度與總體擁有成本（TCO）的要求。
管理層透露，針對次微米凸塊間距的後續世代開發工作已經展開，以遵循客戶直至本世紀末的技術路線圖。Blickman 強調公司採用的前段製程支援模式是競爭壁壘。Wiedner 解釋：「前段製程的工作方式截然不同，量產需要持續的現場支援與服務合約，而非後段組裝常見的反應式服務模式。」
與應用材料公司共同營運的新加坡卓越中心已與超過 25 家客戶進行製程開發，此數字與已購買混合鍵合機進行生產的 20 家客戶密切相關。這種參與模式結合應用材料公司互補的前處理與計量設備，創造了轉換成本，因為客戶認證的是整合式製程流程，而非單一工具。
利潤率擴張反映產品組合與定價權
目前的營運模型目標是毛利率高於 Besi 歷史水準的 60% 中段，這反映了產品組合與定價動態。管理層指出，隨著開發複雜度與機器精密度的指數級上升，混合鍵合機的平均售價將隨每代精度提升而增加。在目前每季訂單量接近 5 億歐元，且營運費用指引顯示第二季淨利率將超過 30% 的情況下，財務狀況正接近過去僅在週期高峰時才出現的水準。
公司已準備好每年 300 台混合鍵合機的產能，並透過擴展至越南實現產能成長，且無需過高的資本支出。Blickman 直接回應了客戶對製造能力的認證：「客戶持續前來測試我們的能力，因為他們面臨同樣的問題，即 Besi 是否能在需求出現時準時交付。」
競爭格局與地理考量
當被問及在已宣布十多個混合鍵合開發計畫的情況下，技術領先地位的永續性時，管理層表示信心源於製程窗口（process window）控制與良率達成，而非僅是規格表。Blickman 表示：「世界上任何產品的生產都在尋求一個製程窗口、該窗口的可靠性，最終產出的是良率。這就是實現大量銷售的關鍵，若執行得當，便能帶來利潤。」
公司承認在五年內，低精度領域的競爭將加劇，但將這些領域描述為利潤「吸引力遠低」，不足以將工程資源從下一代開發中轉移出來。關於時程，Blickman 評估目前的競爭優勢「非常不錯」，並高度確信目前沒有 15 奈米等級的工具能對高階邏輯細分市場構成直接威脅。
中國仍是一個重要市場，但管理層將策略定調為專注於利潤而非市佔率。Scheiring 指出，中國的先進封裝活動反映了全球 2.5D 與光子學的趨勢，Besi 透過在「中國尚無法取得的技術」應用中進行技術差異化來維持地位。公司已減少產品中的美國零件比例以降低出口管制風險，同時強調非中國客戶的需求正日益轉向越南、菲律賓、泰國與印度生產。
超越半導體週期的結構性成長論點
管理層將此次升級定調為反映結構性驅動因素，而非週期性定位。Christoph Scheiring 指出，歷史上與智慧型手機及汽車週期掛鉤的主流晶片貼裝業務，現在正見證「傳統半導體週期之上的結構性 AI 需求」。到 2030 年，主流晶片貼裝的潛在市場規模成長了 8%，達到 16 億歐元，成長集中在需要覆晶（flip chip）與多模組貼裝能力的先進細分市場。
綜觀整體半導體設備市場，Besi 提出的數據顯示，組裝設備需求將從 2025 年的 54 億歐元成長至 2028 年的 83 億歐元，成長軌跡雖較前段製程設備溫和，但受封裝密度增加所支撐。公司強調，美國、台灣、韓國、印度、新加坡、中國、歐洲、越南與馬來西亞等地先進封裝廠的建設公告，證明了多年期基礎設施投資將推動設備採購，不受短期半導體單位波動影響。
Blickman 最後就產業經歷快速技術轉型時預測的困難發表了看法。「那 6 億歐元中有約 40% 是我們年初完全未預料到的其他業務，」他提到 2025 年第三季實現的 AI 基礎設施建設帶來的營收，「我們知道很多事，但肯定不知道推動市場的所有變數。因此，我們試著與各位分享一些保守的觀點。」