SK hynix 營益率飆破 76% 創歷史新高，AI 記憶體供不應求，揭露與約 10 家客戶簽署多年期供應合約
2026 年第 2 季財報電話會議，2026 年 7 月 28 日
SK hynix 交出史上最強勁的單季成績單，並向投資人罕見地詳細說明如何透過長期協議、加速產能擴充以及指標性的 Nasdaq ADR 上市案，鎖定未來數年的 AI 記憶體需求。該公司第 2 季營收達 79.3 兆韓元，季增 51%、年增 257%；營業利益達 60.5 兆韓元，營益率高達 76%。SK hynix 社長宋賢鐘（Song Hyunjong）表示，上述兩項指標皆創下歷史新高。EBITDA 利潤率為 81%。淨利則為 93.9 兆韓元，主因是處分 Kioxia 持股及資產重估貢獻了 63.3 兆韓元的獲利，推升淨利率達到驚人的 118%。
現金及約當現金較上季增加 33.6 兆韓元，達到 88 兆韓元；淨現金部位增至 69.4 兆韓元，負債比僅 7%。資產負債表的強健表現成為其股權價值核心：管理層表示「目前正在審視多項額外的股東回報執行方案」，並計畫「於年內」溝通具體細節，但考量到 ADR 相關的揭露限制，並未透露規模、形式或時間表。
長期協議成為產業新架構
本次會議最關鍵的揭露在於 SK hynix 與客戶簽署長期協議（LTA）的規模與架構。管理層證實，已「與包括主要客戶在內的約 10 家客戶完成 LTA 談判」，並持續與產業內其他主要業者進行商議。合約期限約為五年，定價機制依客戶與產品量身打造，而非採用統一公式；更重要的是，合約包含訂金機制，旨在「支持合約履行，並提升客戶中長期需求計畫的透明度與可靠性」。管理層未透露這些合約最終將覆蓋總銷售額的比例，但強調目標是透過 LTA 建立獲利的下檔保護，同時保留在市場環境有利時獲取現貨市場溢價的靈活性。這代表該產業從過去典型的週期性、現貨價格導向，轉向結構性的改變，顯示記憶體大廠正越來越像擁有「保證收購」（take-or-pay）承諾的晶圓代工廠，而非單純的商品生產商。
資本支出調升，產能提前佈署
SK hynix 現預計 2026 年資本支出將落在「40 兆韓元後半段」水準。此次上修主因是決定提前 M15X 晶圓廠的量產時程，並在 2027 年初龍仁（Yongin）Fab 1 無塵室啟用後加速產能擴充。公司亦宣布對先進封裝設施 P&T7、新 NAND 廠 M17，以及旨在服務龍仁以外需求的長期國內半導體聚落進行投資。管理層謹慎地將此定調為「需求驅動」而非投機行為，並指出產能擴充「將在綜合考量客戶需求能見度與投資效率的前提下，分階段進行」。針對產能過剩的擔憂，主管嚴正反駁，強調「鑑於我們的產能擴充將根據確認的客戶需求靈活執行，我們認為中長期投資計畫不會導致立即性的供給過剩」。
HBM4 量產、HBM4E 送樣，並研發新型散熱技術
HBM4 已於第 2 季開始量產出貨，並計畫於下半年「全面放量」。管理層表示，HBM4 的良率與品質「已接近 HBM3E 的水準」，考量到市場持續傳出競爭對手正縮小技術差距的聲音，此訊號至關重要。HBM4E 樣品已送交主要客戶，目標於 2027 年量產。展望更遠的未來，SK hynix 透露正為 HBM5 及後續世代開發「iHBM」技術，將散熱元件直接整合至封裝中，預計可降低超過 30% 的熱阻，這對於受限於 AI 加速器功耗與散熱瓶頸的產業而言，是一項極具意義的工程突破。關於定價，針對瑞銀（UBS）分析師 Nicolas Gaudois 詢問 2027 年 HBM 合約談判，管理層坦言傳統 DRAM 價格飆漲「可能會對 HBM 定價談判產生一定影響」，但堅稱 HBM 定價反映的是「資源、機會成本、技術複雜度與產品價值」，而非機械式地追隨商品化 DRAM 的價格變動。
需求敘事由訓練轉向推論與代理人工作負載
針對近期投資人擔憂數據中心租賃安排及更高效的 AI 模型可能預示基礎設施需求放緩，管理層明確反駁，將此發展定調為「朝向更高效利用已大規模建置的 AI 基礎設施之轉型」。公司認為，模型效率的提升在歷史上總是擴大而非縮小目標市場，並指出「近期高效能 AI 模型的爆炸性需求」證明了降低成本能擴大採用率，而非減少基礎設施需求。在產品端，這體現為對支援「代理人」（agentic）AI 工作負載的伺服器 DRAM 需求，以及企業級 SSD 的角色日益吃重；管理層表示，隨著產業從以訓練為中心轉向以推論為中心，企業級 SSD 正成為「AI 記憶體層級的核心元件」。企業級 SSD 營收季增翻倍，Solidigm 的 30TB 以上高容量 SSD 營收更成長超過三倍。公司表示正刻意避免單一技術的 NAND 策略，而是透過建置 QLC、TLC 及 SLC 模式的 SSD 產品線，以匹配從 HDD 取代到 GPU 附近 KV 快取卸載等各種工作負載。
DRAM 平均售價（ASP）未達預期，主因產品組合調整而非需求疲軟
第 2 季 DRAM 平均售價（ASP）成長約 30%，低於部分市場預期。管理層將此歸因於刻意將高價值產品的出貨推遲至下半年，而非底層需求轉弱。第 3 季位元出貨量成長指引設定為 DRAM 季增約 10%、NAND 則為低個位數成長；管理層預期下半年位元成長將優於上半年，隨著 HBM4 放量及 1c 奈米製程的傳統 DRAM 出貨增加，兩者皆有望推升混合平均售價。
Nasdaq ADR 上市及投資人應關注的機制
SK hynix 於 7 月 10 日完成 Nasdaq ADR 上市，公司稱此為「美國外國企業 IPO 史上規模最大」。管理層針對套利與流動性動態提供了具體的機制細節：ADR 自 7 月 30 日起可自由轉換為韓股，但將股票轉換為 ADR 可能因監管申報要求而面臨數週的延遲；此外，ADR 總額上限為 1,779 萬股，即原始發行規模。該轉換上限的任何調升目前尚未決定，且須經過監管審核，這意味著 ADR 目前的雙向互換性是不對稱的，此技術細節可能影響近期的跨國上市估值價差。