纳微半導體：執行長稱手機業務「基本上已消失」，收購 Claros 使 AI 功率潛在市場規模倍增
花旗 TMT 科技論壇，2026年9月8日
納微半導體（Navitas Semiconductor）執行長 Chris Allexandre 在花旗2026年全球 TMT 論壇上表示，公司耗時一年將重心轉離消費性電子產品的策略已大致完成，並同時公布了一套針對 AI 資料中心功率半導體的四階段採用藍圖，將公司的潛在市場規模推升至遠超投資人先前預期的水準。
手機業務退出近尾聲，AI 基礎設施躍升營收逾三分之一
大約在一年前接任執行長並展開其所稱「納微 2.0（Navitas 2.0）」轉型的 Allexandre 指出，公司從一家專注於手機的氮化鎵（GaN）供應商，轉型為服務 AI 資料中心與電網基礎設施的高功率半導體公司的過程已大致底定。在轉型初期，手機業務曾佔納微營收高達 85%。他表示，到了今年年底，該比例將降至個位數低標，變得「微不足道」，儘管傳統手機業務的每季營收仍持續維持雙位數成長。相對地，AI 基礎設施的營收比重預計在年底前將超越三分之一。公司的在手訂單能見度已延伸至 2027 年，Allexandre 指出，這在 18 個月前業務仍以手機為重時「是完全做不到的」。他認為，投資人尚未完全將這種產品組合的轉變計入評價中，因為儘管底層產品組合已發生劇烈變化，但已公布的營收與 18 個月前相比大致持平；他並暗示，只要再維持兩到三季的穩定雙位數成長，應能消除這種認知落差。
邁向 800 伏特資料中心的四階段藍圖
Allexandre 向投資人提供的最具實質性新框架，是詳細且具序列性地解釋資料中心如何從當前的 50 伏特架構過渡至最終的 800 伏特標準。他強調，這是一個漸進的過程，而非單一的「數位切換（digital switch）」。第一階段的浪潮已經展開，隨著現有 50 伏特機架內的功率密度不斷攀升，正以碳化矽（SiC）取代傳統矽晶片來進行 AC-DC（交流轉直流）轉換。第二階段將於 2027 年上半年到來，即所謂的「邊車（sidecar）」架構，此時 AC-DC 與 DC-DC 功率櫃將移至運算機架外部的相鄰外殼中，並以 800 伏特運行，而機架本身則保留 50 伏特匯流排。預計於 2027 年下半年至 2028 年初登場的第三階段，將使機架本身原生支援 800 伏特，把 DC-DC 轉換拉進運算機架內部，並大幅提升 GaN 的搭載含量。第四個也是最遠期的階段（2028 年及以後），則是引進固態變壓器（solid-state transformers）來取代傳統電網變壓器，直接向資料中心供應 800 伏特電力。Allexandre 表示，這項轉變的關鍵在於電網可靠性與資安考量，而非技術成熟度。
「如果沒有 NVIDIA 推動這項轉型，800 伏特會發生嗎？答案是會的，但絕對會比現在發生得晚得多，」Allexandre 將加速這場變革歸功於大型雲端服務商（hyperscalers）與 xPU 供應商，否則這項轉型原本需要耗費更長的時間。
收購 Claros 使潛在市場規模幾近倍增
對投資人而言，最重要的揭露或許是 Allexandre 對納微即將收購垂直供電與整合型電壓調節器（IVR）公司 Claros 所創造的增量市場機會的規模評估。該收購案預計於 10 月左右完成。納微先前評估其 GaN 與 SiC 在美國資料中心與電網基礎設施的市場機會，在 2030 年前將達到 35 億美元，再加上約 10 億美元的基於 JFET 的電路保護，合計可達 45 億美元的服務型市場。Allexandre 指出，由 Claros 所切入的 IVR 與垂直供電商機「基本上等於又增加了等量的規模」，隨著功率轉換更貼近 GPU 或 xPU 本身，這使整體潛在市場規模實現了實質倍增。
他仔細解釋了該交易背後的技術區別，指出垂直供電是指將分離式的 MOSFET、電容器和電感器，實體重新配置到安裝在電路板背面的模組中；而整合型電壓調節則更具根本性變革，是將控制晶片、FET、驅動器、電容器與電感器整合到單一單晶矽（monolithic）晶片上。他表示，Claros 的技術採用了「3.3 伏特輸入、低於 1 伏特輸出、40 安培」的晶片，且無需外部電容器或電感器，並以可擴展的網狀陣列（mesh array）部署，可透過倍增來滿足不同 xPU 架構的電流需求。Allexandre 以亞德客（Analog Devices）收購 Empower 為例，說明整體功率 semiconductor 產業正達成一項共識：基於 MOSFET 的供電方式已無法跟上次世代 AI 處理器的電流需求。他明確指出，這項轉變代表的是 2028 至 2029 年的營收驅動力，而非短期計畫的改變。他指出 Claros 自己的執行長已將其主打 xPU 客戶的量產時間表定在 2028 年，並強調這項收購「不會改變我們針對 2026 年和 2027 年的有機成長計畫」，該計畫仍由先前的 SiC 與 GaN 應用浪潮所驅動。
每百萬瓦含量與「功率牆」
基於產業對 2030 年資料中心容量將達到 220 至 300 吉瓦（gigawatts）的部署假設（他指出這個數字「每天都在向 300 吉瓦靠攏」），Allexandre 提供了可供投資人推算潛在營收的細緻模型假設。在此框架下，資料中心內部的 GaN 內容價值模型約為每百萬瓦（megawatt）15,000 美元，用於在 DC-DC 轉換中取代矽晶片。碳化矽則在資料中心內部為 AC-DC 轉換及基於 JFET 的保護貢獻另外每百萬瓦 10,000 美元的價值，再加上應用於更高電壓的電網現代化應用中，每百萬瓦可再增加 10,000 至 15,000 美元。這使得目前的總價值大約落在每百萬瓦 25,000 美元。Allexandre 坦言，這「仍只佔」每百萬瓦總功率半導體內容價值的很小一部分（他估計包含將持續多年的傳統矽晶片在內，總價值可達 100,000 至 150,000 美元）。
他同時提出了現正制約 AI 基礎設施效能的「功率牆（power wall）」概念，認為在運算與記憶體瓶頸獲得解決之後，供電以及銅對光纖互連（copper-to-fiber interconnects）已成為下一個限制因素。「許多 xPU 公司因為無法向處理器輸送足夠的電力，而正在對處理器進行降頻（underclocking），」這番話點出了為何大型雲端服務商現在正直接參與功率架構的決策，而不完全交由台達電、光寶、台達（註：原文為 Delta, Flex, LITE-ON, Vertiv, Eaton，保留公司名如 Delta, Flex, LITE-ON, Vertiv, Eaton 即可，此處譯為台達、飛訊、光寶、維諦與伊頓等標準商業名稱或保留英文）等專業電源供應商決定。
捍衛無廠半導體策略以迎戰 IDM 競爭對手
當被問及如何與整合元件製造商（IDM）競爭時，Allexandre 強力反駁了「在功率半導體領域競爭必須擁有晶圓廠（fabs）」的觀點。他指出，納微針對 GaN 採用格羅方德（GlobalFoundries）以及先前的台積電（TSMC），針對 SiC 採用 X-FAB，而 Claros 則與三星（Samsung）合作 14 奈米製程技術。「我知道有些公司……擁有自己的晶圓廠，結果現在因為產能利用率不足而陷入水深火熱之中，好嗎？」他未指名道姓，並主張只要公司能與晶圓廠夥伴保持專有的製程與元件級差異化優勢，無廠（fabless）與輕晶圓廠（fab-lite）模式在面臨快速技術變革時期將能提供更多的財務靈活性。
Allexandre 在結語中重申，投資人最大的迷思在於將 800 伏特的轉型視為與特定 NVIDIA 產品發表綁定的單一事件。「這不是贏得 iPhone 訂單，」他將此商機形容為一連串跨越多年、相互重疊的技術轉變，涵蓋 AC-DC 轉換、邊車架構、原生 800 伏特機架、垂直供電以及最終的電網現代化，每一個環節都代表著納微必須各自爭取的獨立內容擴展機會。