ON Semiconductor eleva su objetivo de crecimiento a largo plazo al 12%-14% y presenta su plataforma de energía integrada ante un contenido para centros de datos de IA que se multiplicará por 8 por rack
Día del Inversionista, 16 de septiembre de 2026: la directiva detalla nueva tecnología de empaquetado, metas financieras elevadas hasta 2030 y un terreno competitivo que, según afirma, se ha reducido a solo dos jugadores en energía de alto voltaje
ON Semiconductor aprovechó su primer día del inversionista en varios años para presentar un modelo financiero sustancialmente más ambicioso, al elevar su objetivo de crecimiento de ingresos a largo plazo al 12% y 14% anual hasta 2030, frente al rango anterior de 10% a 12%. El director financiero (CFO), Thad Trent, fue explícito sobre el origen de esta mejora: "Esto está impulsado principalmente por el crecimiento de los centros de datos de IA que no veíamos hace unos años". Tomando el consenso de Wall Street como referencia para 2026 en lugar de estimaciones internas, la compañía proyectó alcanzar aproximadamente $11.000 millones en ingresos para 2030, con un flujo de caja libre que superará con creces el doble para situarse por encima de los $3.500 millones y un margen de flujo de caja libre elevado del rango de 25%-30% al 30%-35%.
El objetivo de margen bruto se mantiene en el 53%, sin cambios respecto a comunicaciones anteriores, pero Trent se cuidó de enmarcarlo como un piso y no como un techo: "El 53% es un hito. No es un destino". Aproximadamente 650 puntos básicos de este incremento provienen de la tasa de utilización (que ya pasó del 68% al cierre del año pasado a cerca del 83% al finalizar el segundo trimestre), 225 puntos básicos del programa de reestructuración Fab Right y el resto de un cambio en la mezcla hacia productos de mayor valor. La compañía también reveló que actualmente se encuentra en una segunda ronda de aumentos de precios con los clientes para compensar los costos de insumos, un viento a favor que aún no se refleja en los márgenes actuales.
Plataforma de energía integrada (EPP): un avance en empaquetado, no un nuevo chip
La revelación técnica más significativa fue la EPP (Embedded Power Platform), una arquitectura de empaquetado que, según el director ejecutivo (CEO) Hassane El-Khoury, resuelve un problema que ningún competidor ha podido solucionar: ofrecer densidad de potencia sin sacrificar el rendimiento térmico o mecánico. "La EPP es la única plataforma actual que no solo deja obsoletas a las mejores de su clase, sino que cumple la promesa de una verdadera densidad de potencia sin utilizar el rendimiento mecánico y térmico como sacrificios para el eléctrico", señaló. La empresa afirma que un disyuntor de estado sólido basado en EPP es un 50% más pequeño que el competidor más cercano a la vez que opera un 20% más frío; además, en aplicaciones de inversores de tracción, la EPP ofrece el doble de potencia en la mitad de área, lo que representa una mejora de 4 veces en la densidad de potencia.
Cabe destacar que la directiva indicó que la EPP no requiere inversión de capital incremental, se fabrica en el proceso estándar existente de 12 pulgadas de la compañía en su planta de East Fishkill y ya se encuentra en fase de muestras para aplicaciones de centros de datos de IA, industriales y automotrices. El-Khoury señaló como prueba una solución Vcore con una altura Z de 2 milímetros: "No hay ninguna solución hoy en el mercado que haya podido alcanzar una altura Z de 2 milímetros. Se los garantizo. Está abajo. Está en una tarjeta y ya se está enviando como muestra a los clientes". La empresa también dio a conocer que ganó este año un importante contrato de sockets Vcore, con ingresos que comenzarán a finales de 2026.
El contenido para centros de datos de IA se multiplicará por 8 por rack a medida que la arquitectura migra a CC de alto voltaje
Achyut Shah, quien se incorporó como presidente del Power Solutions Group hace cuatro meses tras pasar por Maxim y Marvell, expuso el cambio arquitectónico que sustenta la oportunidad en los centros de datos de IA. A medida que los racks pasan de decenas de kilovatios a suministros de potencia a escala de megavatios, la industria debe transicionar de una distribución basada en CA a arquitecturas de corriente continua (CC) de alto voltaje lo más cerca posible del procesamiento. Shah cuantificó el beneficio para ON Semiconductor: el contenido normalizado por rack pasa de aproximadamente $15.000 en la actualidad a más de $115.000 una vez completada esta transición, lo que representa un aumento de 8 veces.
La compañía espera que su segmento de centros de datos de IA, que generó aproximadamente $500 millones en 2026, duplique esa cifra este año y vuelva a duplicarla en 2027 para superar los $2.500 millones en 2030, una cifra que, según la empresa, representa un crecimiento de al menos 10 puntos porcentuales por encima de lo que entregue el mercado subyacente. Shah fue sincero al admitir que las estimaciones de los analistas para este segmento varían actualmente entre un 20% y un 80% de crecimiento, lo que refleja una incertidumbre genuina sobre el ritmo de implementación, pero afirmó: "independientemente de cuánto crezca el mercado, tenemos plena confianza en crecer al menos un 10% por encima de este". Se prevé que la arquitectura de apoyo a corto plazo (sidecar), en la cual las bandejas de procesamiento reducen el voltaje desde una barra colectora de 800 voltios, comience a acelerarse en un plazo de 12 a 18 meses. La arquitectura completa de CC de alto voltaje de la red al rack, que utiliza transformadores de estado sólido, se posterga un poco más, para finales de 2028 o principios de 2029.
GaN vertical: cinco años de ventaja tecnológica y planta dedicada ya operativa
El-Khoury presentó el GaN vertical (nitruro de galio vertical), un dispositivo de alto voltaje y alta frecuencia que ya se encuentra en fase de muestras con clientes, como el segundo pilar de la estrategia de alto voltaje de la compañía, junto con el carburo de silicio. La fabricación ya está en marcha en una planta dedicada en Syracuse en lugar de en un banco de pruebas o línea piloto, abordando directamente una cuestión de escalabilidad: "No creo que sea un problema, aunque es un buen problema para tener, pero ya disponemos del sitio de fabricación". Respecto al posicionamiento competitivo, afirmó contar con una ventaja sustancial: "Estamos en nuestra segunda generación de GaN vertical. Así que diría que llevamos probablemente media década de ventaja frente al competidor más cercano, ya que nadie ha lanzado todavía una estrategia de muestras en algo que se le acerque". Atribuyó este foso defensivo a la cobertura de patentes tanto del dispositivo como del proceso de fabricación, además de los largos ciclos de diseño típicos de la integración de sistemas térmicos y mecánicos, los cuales dificultan que los competidores tardíos desplacen a un actor establecido una vez integrado.
Solo dos empresas pueden competir en todo el árbol de potencia, afirma la directiva
Shah ofreció una evaluación incisiva del panorama competitivo, segmentándolo por capa tecnológica. En la etapa de potencia central de bajo voltaje, indicó que hay entre 10 y 15 empresas que afirman tener capacidad, pero solo 5 o 6 cuentan con escala de ingeniería real. Al pasar a la capa de carburo de silicio y GaN de alto voltaje, esa cifra se reduce a 3 o 4. En el nivel completo de la red al núcleo, que abarca la gestión de fallas, el almacenamiento de energía y los JFET de carburo de silicio de alto voltaje, Shah afirmó que "en realidad solo quedan 2 empresas, onsemi y otra más, que tienen la capacidad de participar en todo este árbol de potencia". Argumentó que la amplitud ya no es opcional debido al acoplamiento tan estrecho que deben tener estos sistemas: "Esta es la razón por la cual nuestros clientes hablan de esto como un único sistema interconectado de extremo a extremo que requiere un co-diseño extremo".
Automotriz e industrial: se asume un SAAR plano, pero el contenido por vehículo escala a $2.000
Sudhir Gopalswamy, presidente del Intelligent Sensing Group, reiteró el algoritmo de crecimiento automotriz de la compañía, enfocado en un crecimiento de un dígito alto por encima del SAAR (tasa anualizada de ventas de automóviles), y señaló que la empresa ya ha entregado un crecimiento anual del 9% desde 2019 frente a volúmenes unitarios de la industria estables. El modelo asume que el SAAR se mantiene plano hasta 2030, lo que significa que cualquier recuperación en la producción de vehículos representaría un beneficio neto al alza. Los motores de crecimiento incluyen mejoras continuas en el rendimiento del carburo de silicio del 25% o más por generación, un nuevo "Intelligent SiC Current Controller" que, según la directiva, ofrece una generación completa de mejora en el rendimiento sin costo adicional al combinar la capacidad de sense-FET con una nueva familia de controladores de compuerta, y una transición hacia arquitecturas de vehículos zonales que utilizan Ethernet de par único, donde la empresa introduce un protocolo de control remoto que, según afirma, puede duplicar o triplicar el contenido por vehículo. El potencial de contenido automotriz agregado se estimó en hasta $2.000 por vehículo. Se proyecta que el sector industrial crezca un 10% anual, dividido entre un negocio base al ritmo del PIB y un crecimiento secular que incluye lo que la directiva denomina un "halo de IA" a medida que la infraestructura de la red adopta tecnología de estado sólido.
Acuerdo con Synaptics: se revelan por primera vez las finanzas independientes
Dado que la adquisición de Synaptics aún no se ha cerrado, la directiva limitó sus comentarios, pero dio a conocer proyecciones financieras independientes para el negocio: un crecimiento de ingresos superior al 15%, márgenes brutos por encima del 55% y un margen operativo superior al 30%, incluyendo $200 millones en sinergias esperadas durante los primeros 18 meses. Trent señaló que el modelo incluye la compensación basada en acciones debido a la convención de reportes no GAAP de la compañía, lo que significa que la operación es accretiva incluso antes de sumar dicho concepto, y destacó un potencial alcista adicional al trasladar la manufactura de Synaptics a la propia huella de operaciones de ON Semiconductor con el tiempo. El-Khoury rechazó la idea de que la operación represente un giro que aleje a la empresa de su negocio principal, afirmando: "No es una cosa u otra... esto acelera el modelo financiero y se basa en una tecnología y una capacidad que podemos ofrecer a nuestros clientes como empresa combinada".
Asignación de capital: $8.700 millones invertidos, la intensidad de capex se mantendrá en el 5%
Trent reveló que la compañía ha desplegado $8.700 millones en capital durante los últimos cinco años, divididos en $3.600 millones en investigación y desarrollo (I+D), $800 millones en cinco adquisiciones complementarias (tuck-in) y $4.300 millones en gastos de capital (capex), financiando lo que estimó en $81.000 millones de expansión del mercado total direccionable (TAM) en los sectores automotriz, industrial y de centros de datos de IA. De manera crucial, la directiva indicó que la huella de manufactura existente, tras completar $900 millones en salidas de negocios no esenciales, es suficiente para escalar hasta el nivel objetivo de $11.000 millones en ingresos, manteniendo la intensidad de capital en aproximadamente el 5% de los ingresos, sin requerir grandes inversiones nuevas en terrenos vírgenes (greenfield) o reutilización de instalaciones (brownfield). La estructura de costos actual se describió como un 17% inferior a la huella histórica de la compañía al comparar ambas a plena utilización.
En cuanto a la retribución de capital, la compañía reiteró su política de devolver el 100% del flujo de caja libre a los accionistas después de financiar la inversión orgánica, fusiones y adquisiciones, y la flexibilidad del balance general, destacando que ya ha recomprado $4.200 millones en acciones entre 2023 y 2026, lo que equivale al 92% del flujo de caja libre generado en ese período, reduciendo el recuento de acciones en un 12%. Trent confirmó que quedan $5.300 millones disponibles en la autorización de recompra actual.