Micron schetst planair DRAM-pad tot 1-Eta, wijst 4F2 af en introduceert verticale HBM en edge-inferentiegeheugen als nieuwe productplatforms
Webinar over technologie- en productleiderschap, 21 oktober 2026
Tijdens een technologiewebinar deelde Micron twee kernpunten waar beleggers direct mee aan de slag kunnen. Ten eerste ziet het bedrijf een helder planair DRAM-schaalpad voor de komende generaties, waarbij 3D-DRAM wordt gepositioneerd als een parallel spoor dat op basis van kosten en prestaties zal worden geïntroduceerd, in plaats van op een vaste datum. Ten tweede breidt het zijn portfolio voor AI-geheugen uit tot voorbij de huidige HBM, met verticale HBM, verticaal edge-inferentiegeheugen en twee categorieën AI-specifieke NAND. President en Chief Technology and Products Officer Scott DeBoer zei dat het bedrijf "meer vertrouwen heeft in de schaalbaarheid van zowel DRAM en NAND voor de komende jaren dan in lange tijd het geval is geweest." Er werd geen financiële verwachting afgegeven.
Micron wijst 4F2 af en bestempelt 3D-DRAM als zakelijk getimede transitie
De meest omstreden technische kwestie betrof de 4F2-celarchitectuur, die doorzettende concurrenten vermoedelijk nastreven. DeBoer was opvallend direct. Micron heeft 4F2 uitgevonden, het al zo'n twintig jaar geprototyped en bewust besloten het niet na te streven. Zijn argument is dat de bitdichtheid wordt bepaald door de condensatorpitch, en niet door de onderliggende cellay-out. "Het is een fabeltje dat 4F2 daadwerkelijk iets oplevert ten opzichte van 6F2. Het is de condensatorpitch die de DRAM definieert," aldus DeBoer, die daaraan toevoegde dat delen van de 4F2-discussie "een rookgordijn" zijn. Hij erkende dat 4F2 enkele generaties terug gebouwd kan worden tegen hogere kosten en complexiteit, maar stelde dat het voorbij de huidige generaties "pure fysica" betreft en dat de fundamentele schaalbaarheidsproblemen "uiteindelijk zullen leiden tot de komst van 3D-DRAM in plaats van 4F2."
Over 3D-DRAM verklaarde Micron dat de technologie op de roadmap staat tussen 1-zeta en 1-eta, maar dat dit een parallel spoor betreft. De timing "hangt af van de bedrijfsbeslissingen van Micron" en het bedrijf zal de technologie implementeren zodra dit optimaal is voor kosten, complexiteit en apparaatprestaties. DeBoer erkende dat DRAM "de atomische limieten nadert", maar benadrukte dat Micron vertrouwen heeft in nog diverse planetaire generaties. Atif Malik van Citi lichtte de update over 3D-DRAM versus 4F2 eruit als de belangrijkste conclusie. Beleggers moeten opmerken dat het uitblijven van een introductiedatum voor 3D-DRAM betekent dat de timing van de transitie niet is gekwantificeerd en afhangt van een managementoordeel over de kosten.
DRAM-roadmap: 1-Delta start volumeproductie in tweede helft van 2027
De 1-gamma-generatie, de eerste van Micron die gebruikmaakt van EUV, bevindt zich in volumeproductie en zal het komende jaar de voornaamste productieknooppunt vormen. De 1-delta-generatie, die wordt ontwikkeld in Boise en onder meer bestemd is voor productie in de Verenigde Staten, zal naar verwachting in de tweede helft van 2027 in volume worden opgestart. Micron noemde dit zijn vijfde achtereenvolgende industriële leiderschapsgeneratie. Dit moet een verbetering van de bitdichtheid opleveren in de midden-twintig procent, met een ontwerpfocus op kosten en optimalisatie voor HBM5, verticale HBM en verticaal edge-inferentiegeheugen. De 1-epsilon-generatie, die gebruikmaakt van wafer bonding, is "reeds ver gevorderd", en de vroege ontwikkeling van 1-zeta en 1-eta – waarbij high-NA EUV en nieuwe materialen worden gecombineerd – is in volle gang.
DeBoer deelde tevens mee dat Micron meerdere CMOS-varianten binnen één generatie zal inzetten, afgestemd op LP- of HBM-toepassing. Hij verwacht een verbetering van de stroomsterkte (drive current) met ongeveer een factor 10 bij een gelijkblijvende lekstroom in de periode van 2020 tot 2030. Op productvlak is LPDDR6 gericht op een 35% lager stroomverbruik dan LP5, biedt DDR6 een dubbele bandbreedte ten opzichte van DDR5, en staat een RDIMM van 1 terabyte gepland als opvolger van de DDR5-RDIMM van 512 gigabyte waarvan reeds samples zijn geleverd.
Verticale HBM voegt nieuwe categorie toe en de waferverhouding stijgt gestaag
Naast standaard en klantspecifieke HBM voegt Micron verticale HBM toe, waarbij het geheugen direct bovenop de processor wordt geplaatst. DeBoer gaf aan dat het voordeel ligt in bandbreedte en energie-efficiëntie die "op een andere manier eigenlijk niet haalbaar zijn." Hij verwacht dat de meeste systemen HBM5E rondom de rand van de XPU zullen combineren met verticale HBM erbovenop. De beperking zit in de thermische huishouding. Het stapelen van talloze dies op een hete processor is complex, waardoor de capaciteit in beginsel trager zal schalen dan de bandbreedte. Micron gebruikt reeds een hittedrijver die fungeert als "een warmtepijp" boven het heetste deel van de onderste HBM-die.
De implicaties voor het aanbod zijn significant. DeBoer stelde dat de zogenaamde trade ratios – het aantal benodigde wafers per bit HBM versus standaard DRAM – "blijven stijgen" over de hele linie van HBM, verticale HBM en verticaal edge-inferentiegeheugen. Verticale HBM kent een zeer hoge ratio, zowel door de stapeling als doordat het aanzienlijk grotere aantal I/O-verbindingen het aantal dies per wafer vermindert. Dit wijst op aanhoudende druk op het aanbod van DRAM-bits, wat aansluit bij zijn opmerking dat Micron de komende twee jaar geen moment ziet "waarbij [het geheugen] in evenwicht komt" – een visie die hij toeschreef aan CEO Sanjay Mehrotra.
Wat de basis-die (base die) betreft, bevestigde Micron dat het foundry-nodes zal inzetten voor zowel de standaard JEDEC- als de klantspecifieke HBM-basis-dies, zonder de node nader te noemen. Het bedrijf gaf aan dat HBM4 geen geavanceerd procedé vereiste: "sommige concurrenten hebben dat wel gebruikt, maar onze HBM4 niet." HBM4E vereist echter wel geavanceerdere CMOS voor snelheid en vermogen. Verticale HBM zal gebruik blijven maken van geavanceerde nodes in de basis-die, waarbij meer functionaliteit van de GPU wordt afgestaan. HBM4 bevindt zich in volumeproductie, waarbij één stack een prestatie levert van 2,8 terabyte per seconde. Hybrid bonding wordt omschreven als essentieel voor de interconnectiedichtheid, en niet enkel voor thermische beheersing, al moet deze technologie nog verder rijpen voor grootschalige volumeproductie.
Edge-inferentiegeheugen concurreert met processing-in-memory
Voor fysieke AI en de edge ontwikkelt Micron verticaal edge-inferentiegeheugen (EIM), waarbij LPDRAM op een logische basis-die wordt gestapeld. Gevraagd naar de processing-in-memory-benadering (PIM) van concurrenten, antwoordde DeBoer dat Micron eveneens PIM-oplossingen "in ontwikkeling en in gesprek met klanten" heeft. Hij beargumenteerde dat verticale EIM aanzienlijk hogere bandbreedtes en capaciteiten levert en een lager stroomverbruik kan bereiken via de basis-die. Het spectrum loopt uiteen van edge-apparaten in de orde van sub-picojoules per bit tot volledige HBM. Aangezien de kerntchnologie grotendeels overeenkomt, komen verschillen neer op ontwerp en segmentatie. Dit betreft een platformstrategie, hoewel er geen tijdslijn werd afgegeven voor klanten of omzet.
NAND: Gen11 verdubbelt dichtheid en introduceert AI-varianten
Micron slaat een generatienummer over – de overstap wordt gemaakt van G9 naar G11 – en noemt dit 's werelds meest geavanceerde NAND. Deze generatie biedt een verdubbeling van de bitdichtheid ten opzichte van G9, een I/O-snelheidsdoelstelling van 1,5x, een lager energieverbruik bij gegevensoverdracht, wafer-on-wafer bonding en meer dan 400 lagen. De volumeproductie start eveneens in de tweede helft van 2027. Specifieke details over het aantal lagen worden bekendgemaakt dichter bij de marktintroductie.
Er werden twee richtingen gepresenteerd voor NAND uit de AI-klasse. High-IOPS NAND maakt gebruik van op SLC gebaseerde ontwerpen in kleine blokken voor zeer snelle opslag en vormt een prioriteit voor de komende jaren. High-bandwidth NAND maakt gebruik van met TSV gestapelde NAND gecombineerd met een logische basis-die; dit is kostbaarder en vereist nauwe samenwerking met klanten. DeBoer gaf aan dat deze variant nabij de rekenkern zal worden geplaatst, maar niet "langs de korte lijn van de GPU, aangezien we dat geen hout vinden snijden." Daarnaast wees Micron op PCIe Gen6-datacenter-ssd's die als eersten op de markt in massaproductie zijn.
AI in ontwikkeling halveert ontwerpcycli
Volgens Micron hebben AI-tools de tijd van silicium tot tape-out voor de nieuwe datacenter-ssd-controller met 50% verkort, en de ontwikkeltijd voor een complete datacenter-ssd met 60%, dankzij het gebruik van door AI gegenereerde firmware, root-cause-analyse en autonome agents. DeBoer omschreef dit als cruciaal voor het beheersen van een groeiend volume aan klantspecifieke programma's. Dit betreft twee specifieke voorbeelden en geen bedrijfsbreed gemiddelde.
R&D op lange termijn en co-design met klanten
DeBoer wees op een intensivering van de investeringsstrategie: een grotere toezegging via Micron Ventures, een geavanceerd lithografie-initiatief bij Albany NanoTech gericht op high-NA EUV voor DRAM, en de eerder aangekondigde investering van $10 miljard over een periode van 10 jaar in de Micron Research Labs. Ten aanzien van klanten schetste hij een co-designmodel dat "sterk afwijkt van de manier waarop we zelfs drie of vier jaar geleden met klanten communiceerden." Hij haalde daarbij een whitepaper aan die diezelfde ochtend werd gepubliceerd in samenwerking met Meta over LPDDR6 voor datacenters, alsmede een partnerschap met WEKA, een onderneming waarin Micron aanvankelijk investeerde via zijn durfkapitaalfonds.
Geheugeninhoud per systeem zal naar verwachting niet dalen
Als reactie op zorgen van Vivek Arya (Bank of America) over de omstandigheid dat geheugen de helft of meer van de kostprijs (bill of materials) gaat uitmaken en dat inferentie mogelijk minder DRAM vereist dan training, deed DeBoer geen concessies. Klanten zullen optimaliseren rondom minimale systeemvereisten, en edge- en kleine-modelproducten zullen andere configuraties kennen, maar "meer geheugen staat wel degelijk gelijk aan betere systeemprestaties." Dit is de visie van een leverancier, en het webinar bood geen gegevens over hoe afnemers kosten en geheugeninhoud momenteel werkelijk tegen elkaar afwegen.